芯片封装引线框架的应用及市场

集成电路IC半导体产业的制造流程被分为芯片制作前工序和芯片封装测试后工序两大生产系统。封装起到保护芯片、重新分布输入／输出I／O获得更易于装配处理的引脚节距．为芯片提供良好散热通路．便于测试和老化试验等极其重要作用。IC封装有许多种板结构尺寸、外形和引脚数量．以满足各类IC发展和系统的不同要求。IC封装两个主要基本结构类别为引线框架式封装和基式封装，前是一类十分重要而技术悠久的封装，采用引线框架的产品类型仍在半导体产业中占据主导地位。     

敏感元件在有线电视器件中的应用

阐述敏感元件的基本概念及其在有线电视网络器件中的几种典型应用,首先介绍敏感材料的基本类型和今后的发展趋势,然后详细介绍目前比较典型的几种敏感元件在开关稳压电源、Cable Modem、双向放大器、彩电消磁、程控交换机、光工作站中的应用。     

用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究

采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜.用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系.选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.     

TOS8850A自动耐压/绝缘测试仪的维护

本文介绍了日本菊水公司生产的一种自动耐压/绝缘测试仪(TOS8850A)的维护以及常见故障分析与解决。     

基于StrongARM SA1100的嵌入式系统中触摸屏驱动设计

触摸屏控制器简化了对触摸屏的控制,但他采用串行通信,这样触摸屏控制器的转换精度越高,从他读出触摸点坐标值所花的时间就越多。为了减少这种时间,以一个基于StrongARM SA1100的嵌入式系统应用实例介绍了一种典型的电阻式触摸屏并行通信硬件驱动电路以及在此基础上的软件驱动程序设计方法和流程。有利于操作系统对触摸屏的控制。     

触摸屏技术及其在μC/GUI中的实现

介绍了4线电阻式触摸屏的结构和工作原理,简单介绍了一款触摸屏专用接口芯片ADS7843的特点和原理,并具体给出了4点定位法来实现触摸屏到LCD的校准,最后探讨了嵌入式图形系统μC/GUI及其触摸屏功能的实现,文中所述相关方法已经使μC/GU在ARM平台上成功运行。     

Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。     

射频功率HBT自加热效应及补偿方法

从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。     

金属氧化膜电阻温度系数的测定

采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值，通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系，分析表明，阻值与温度之间呈线性关系，通过直线拟舍，得到电阻阻值与温度的关系式，通过关系式求得金属氧化膜电阻器的温度系数，建立阻值与温度的数学模型，这样就能得到不同温度下各种金属氧化膜电阻的理论预测值。