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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
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金属泡沫材料研究进展 总被引:14,自引:2,他引:12
综述了金属泡沫材料的各种制备方法。液相法制备金属泡沫材料包括气体吹入法、固体发泡剂法和固体—气体共晶凝固法、熔模铸造法、渗流铸造法、喷射沉积法以及粉末加压熔化法等制备方法。采用金属粉末烧结法、浆料发泡法等制备工艺可以从固相制备金属泡沫材料。电沉积法以及气相沉积法可用于制备高孔隙率的金属泡沫材料。最后简要总结了金属泡沫材料的应用。 相似文献
99.
100.
高温酸化助排剂HC2-1的研究 总被引:12,自引:2,他引:10
为了满足高温油藏和深井酸化作业残酸返排的需要,通过表面活性剂的筛选和复配研究,得到了高温酸化助排剂HC2—1。其性能评价结果表明,HC2—1具有使用浓度低、表面活性高的特点,在20%的HCI溶液中,当其浓度为50mg/L时,表面张力为20.7mN/m;具有良好的耐温性能,在180℃下恒温48h,HC2—1仍保持较高的表面活性;具有良好的耐盐能力,加有HC2—1的20%HCl溶液和CaCO3反应至HCl完全消耗,整个反应过程体系无新相生成且表面张力基本不变;可增大酸液体系的润湿角,进一步降低毛细管阻力,使酸液返排率由46%提高到97%,在促进酸液返排的同时与原油不发生乳化反应。 相似文献