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81.
分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电极的pull-in电压几乎比平面下电极的pull-in电压降低一半.  相似文献   
82.
多晶硅衬底上的RF MEMS开关   总被引:3,自引:3,他引:0  
在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关  相似文献   
83.
模拟器件     
  相似文献   
84.
速度和损耗是光开关的两项重要特性指标。章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案。  相似文献   
85.
电子电路中抗EMI设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。  相似文献   
86.
刘伏保  彭桦 《材料保护》1998,31(7):18-19
电器开关因多品种、小批量、使用环境不一,工艺要求变化较大,为此,作者较系统地阐述了电器开关涂装工艺的选择方法,推荐了实用工艺。  相似文献   
87.
应用干涉滤光片作为一种光学双稳器件,演示了光学逻辑开关功能。  相似文献   
88.
较为系统全面地介绍了感应式无触点型接近开关的工作原理、性能参数及其接线使用方法与有关注意事项等。  相似文献   
89.
F6系列辅助开关在电网中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
秦维陶 《高压电器》1993,29(1):49-51
综合分析了辅助开关在运行中存在的问题,介绍了一种性能较好的F6系列辅助开关的使用情况。  相似文献   
90.
开关安装不恰当,特别是把开关安装在可燃物体上;导线外护套被控破,使线芯裸露或因雨水渗入造成短路引起火灾。  相似文献   
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