首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15363篇
  免费   476篇
  国内免费   298篇
电工技术   10431篇
综合类   397篇
化学工业   230篇
金属工艺   152篇
机械仪表   573篇
建筑科学   798篇
矿业工程   737篇
能源动力   162篇
轻工业   165篇
水利工程   336篇
石油天然气   69篇
武器工业   4篇
无线电   1003篇
一般工业技术   472篇
冶金工业   183篇
原子能技术   28篇
自动化技术   397篇
  2024年   73篇
  2023年   244篇
  2022年   258篇
  2021年   382篇
  2020年   233篇
  2019年   370篇
  2018年   143篇
  2017年   294篇
  2016年   284篇
  2015年   398篇
  2014年   877篇
  2013年   731篇
  2012年   839篇
  2011年   839篇
  2010年   786篇
  2009年   942篇
  2008年   731篇
  2007年   746篇
  2006年   656篇
  2005年   692篇
  2004年   655篇
  2003年   637篇
  2002年   518篇
  2001年   544篇
  2000年   427篇
  1999年   314篇
  1998年   283篇
  1997年   305篇
  1996年   279篇
  1995年   258篇
  1994年   261篇
  1993年   242篇
  1992年   227篇
  1991年   244篇
  1990年   196篇
  1989年   226篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
53.
54.
Al(OH)3对硅橡胶性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了Al(OH)3粒径和用量对硅椽胶漏电电流、脉冲电流、耐漏电起痕、表面粗糙程度、电蚀损、介电性能、拉伸强度及漏电电流实验重复性的影响。  相似文献   
55.
56.
发展高电压等级真空断路器的技术问题探讨   总被引:10,自引:1,他引:9  
本文对发展高电压等级真空断路器的关键技术问题,如触头材料,灭弧室耐压特性、电弧特性、弧后特性、波纹管设计及触头运动特性等进行了探讨,可为高电压等级真空断路器的设计提供依据。  相似文献   
57.
58.
59.
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.  相似文献   
60.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号