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51.
给出了一种新型结构的弹载偶极子天线,采用基于自补结构的蛇形振子作为辐射器,并用矩量法对振子结构进行优化,采用简化形式的锥形BALUN以实现平衡馈电。测试结果表面该天线具有良好的E面全向特性和宽带特性。主要分析了该天线的辐射特性,最后给出并分析了实测数据。该天线具有结构紧凑、馈电简单、带宽较宽、易于制作等优点。  相似文献   
52.
很多低压降稳压器都带有一个使能输入脚,它可以用作一个廉价的电压监控IC。虽然使能脚通常是用于切断稳压器的输出以节省功耗,但增加几个分立元件就可以使稳压器输出控制相应输入电压下的通、断。因此,可以将此电路用作一个电压监控器或一个特性受控的线性稳压器。  相似文献   
53.
《家庭影院技术》2004,(2):60-62
请大家讨论一下电源线的作用影响。个人认为 1.电源的频率不管你用什么线都不会变化的; 2.电压就1米的电源线来说220v不会有多大影响,只要你不用太劣质的甚至绝缘破坏了的线就不会有太大电压变化; 3.谐波,关键在此,坏的电源线可能会增加一些谐波,不过谐波的总  相似文献   
54.
《电子产品世界》2004,(12B):33-33
Vishay Siliconix公司推出降压/升压型调压器,使设计人员可从便携式电子系统电池中获得稳定电压。SiPl759提供3.3V固定输出电压或2.5V~5.5V可变输出电压,其输入电压范围为1.6V~5.5V。这款新型调节器专门用于由电池供电的手持式设备,  相似文献   
55.
多晶硅衬底上的RF MEMS开关   总被引:3,自引:3,他引:0  
在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关  相似文献   
56.
压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外  相似文献   
57.
本文介绍了欧洲轿车新战略决策,也即:将要提高轿车的电池电压,,阻燃材料的比率和工作温度;Synolite5001-T-1牌聚酯树脂的阻燃防炎性能优于酚醛树脂。  相似文献   
58.
蔡益民  高中林 《电子器件》1994,17(3):171-176
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。  相似文献   
59.
针对我国电气化铁路牵引网跳闸率高,而牵引线路又长期无过电压保护装置等情况,开发了一种牵引网过电压限制器。本文全面介绍了其开发、研制及运行情况。  相似文献   
60.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
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