高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

芯片封装引线电性能的测试

随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展，封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大，封装引线电性能的测试与控制也越显重要。     

ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。     

彩电中周故障的判断与修复

彩电中周(中频变压器)不良通常可造成图声不良、失步、搜台不良、整体或部分电视节目不清晰，出现斜纹、图像模糊昏暗不稳定、逃台(跑台)等故障现象。中周不良的原因大多是中周内瓷管电容裸露银电极氧化后漏电或容量变小，引起中周内LC并联谐振回路失谐。中周故障通常可通过调节磁芯、更换或代换新件、拆修、并联电阻等办法进行修复处理。     

电容比和方向性对自给能γ剂量计探头的影响

本文给出了自给能γ剂量计探头在γ射线照射下积累电荷的测量结果，讨论了电容比和方向性对自给能γ剂量计探头的影响以及探头的饱和点。     

亲密接触——轻骑兵X620音箱

作为一名消费，想要选择一款5．1声道音箱，必须要从价格和产品性能两个方面进行考虑。面对目前市场上鱼目混珠的音箱品牌，特别是那些小型的不知名的山寨厂商，他们在乎的仅仅是漂亮的产品外形，配上漂亮的包装，对于音箱真正的效果他们并不在意。但对于那些大厂商就截然不同，他们不但     

串列式电容液位计的测量原理分析

本文对串列式电容液位计的测量原理和基本结构进行了详细的分析说明。     

积分电容漏电对调节器品质的影响

本文从积分电容漏电的作用过程，分析其对调节器品质带来的影响，指出调节器出现手动一自动跟踪不良的原因。     

一种“绝对型”电容薄膜真空计的研制

介绍用磁控溅射制作的从大气往真空约覆盖5个量程的“绝对型”电容薄膜真空规，以及与该真空规配套的真空计的电路。该真空计测量范围为1．3～105Pd，真空规与电容信号检测电路置于同一金属壳内，以避免外界干扰。规的恒温胜温度波动小于±0．1℃，有效地降低了温度的影响。电路的非线性小于0．4％，高真空下北输出漂移小于0．1％，在13～105Pa各量程内，最大校准误差小于读数的4％。