氧化铝丝的研制

氧化铅丝生产过程中最关键的工艺是连续阳极氧化。氧化膜击穿电压决定于氧化膜厚度。控制膜厚度的三要素为:电解液(成份、浓度及温度),槽电压和铝丝走速。     

本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

解决显示器画面抖动的故障

症状:笔者一台“年事已高”的联想15英寸彩色显示器,近日屏幕上的图像严重抖动,只能勉强看出文字,可是眼睛却受不了,同时还有三、四条横线向上滚动。左右两边随滚动的条纹呈现动态的S形状,而且在向下移动。仔细一听,显示器内部还有“吱吱”的响声。 故障分析:根据专业知识来看,行信号在抖动,场信号也有干扰,但     

带有长测量电缆的电容分压器的传输特性

该文研究了z_3=z_0,z_4=∞情况下电容分压器测量系统的传输特性,得出了U_(in)(s)=G(s)~(-1)U_0(s)在时间域的解析解及其差分形式,此解正可用于进行波形重建。给出了波形畸变与分压器、电缆及被测波形参数间的定量关系。     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

基于DS2770的低成本充电器

成本是制约消费类产品的关键因素。在便携式设备中,设计一款能够支持非稳压型电源的充电器能够大大降低系统成本、减少设备的外部元件数量。图1所示电路能够支持各种限流型全波整流充电电源。     

配电网电容电流测量结果异常的分析

分析了配电网电容测量中几种典型异常现象 ,提出了测量结果的处理方法和试验中应注意的问题     

电容位移法精确测量磁性薄膜的磁致伸缩系数

介绍了一种精确测量磁性薄膜磁致伸缩系数方法－电容位移法，并自行研制组装了一套测量装置，通过误差分析，仪器的精确标定，对稀土－铁超磁致伸缩薄膜的磁致伸缩系数进行了测量，获得满意的结果。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。