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61.
高压变电站工频电场计算方法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
针对模拟电荷法和边界元法的缺点,提出将两种方法结合起来计算高压变电站内工频电场分布。采用BEM计算变电站内开关设备表面电荷产生的电场,针对变电站内设备各部件的不同性质,分别推导接地金属支柱、介质分界面与悬浮导体的间接边界积分方程。采用CSM计算母线自由电荷产生的电场,完成工频电场分布。 相似文献
62.
为满足航天相机系统快速、高质量的成像要求,设计了一种基于Camera Link协议的高速CCD(ChargeCoupled Device)图像采集系统。该系统采用CPLD(Complex Programmable Logic Device)、专用视频处理芯片TDA8783、乒乓结构的存储器进行设计,并使用时间延迟积分(TDI:Time Delay Integral)的工作方式,通过设置单级积分时间长度和积分级数改变总积分时间长度。实验结果表明,该系统能同时输出两路CCD电压信号,最高数据输出速率达15帧/s,信噪比大于50dB,两通道的不均匀性小于2%,满足航天相机系统的高速、高分辨率设计要求。 相似文献
63.
采用高温固相法结合电荷补偿方式2Sr2+→Eu3++Na+,合成了适合白光LED的红色荧光材料NaxSr1-2xMoO4∶Eux^3+(x=0.1、0.15、0.2,0.25、0.3)系列样品.对样品分别进行了X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定.测试结果表明,NaxSr1-2xMoO4∶Eu3x+荧光粉可以被近紫外光(UV)(393 nm)和蓝光(463 nm)有效激发.通过探讨Na+和Eu3+的掺杂浓度对发光强度的影响,得出NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+明显增加,且当掺杂量x=0.2时,NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品在616 nm处的发光强度最大.分析了NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品在380 nm紫外光激发下的色坐标,当Na+和Eu3+的掺杂量x=0.15时,样品的红色显色最强. 相似文献
64.
针对多压电能量俘获问题,提出了一种可拓展的自供电同步翻转电荷提取(Extensible Self-Powered Synchronous Inver-sion and Charge Extraction Circuit,ESP-SICE)接口电路.所提出的接口具有自供电、无整流桥设计的特点.电路通过同步电压翻转提高开路电压,通过同步电荷提取可在任意相位差下从多个压电换能器俘获能量而不仅限于时分复用的方式.仿真和实验结果表明,ESP-SICE电路单个压电能量的提取效率可达全桥整流电路最大功率的4.2倍. 相似文献
65.
The electrical properties of La0.6Sr0.4Co1-yFeyO3 (LSCF, y=0-1.0) cathode materials were measured by DC four probes, X-ray photo-electron spectrum (XPS) was also introduced to determine the chemical state of Co, F.e ions in LSCF. It is found that the electrical conductivity of each sample has a maximum value with increasing temperature. XPS analysis shows that Co ion has three different chemical states, corresponding to two with Fe ion. The analyses indicates that the small-polaron hopping mechanism dominates the electron conduction at low temperature, while at high temperature, the three factors such as the thermally activated disproportionation of Co^3+ ions into Co^2+ and Co^4+ pairs, the ionic compensation of oxygen vacancies formed at high temperatures, and Fe^4+ ions charge compensation preferential to Co^4+, all contribute to electrical conduction. 相似文献
66.
67.
CMOS图像传感器中的串扰与常用解决方案 总被引:2,自引:0,他引:2
CMOS图像传感器中,串扰的大小会影响到图像传感器最终输出图像的质量,串扰越大,最终的图像质量越差,并随着目前像素单元尺寸的逐渐减小,光串扰和电荷串扰都会越来越严重。针对CMOS图像传感器中存在的这2种形式的串扰,结合具体的应用环境,出现了各种各样的解决方案。这些方案多从器件结构改进和材料等方面着手,采取有效措施,将CMOS图像传感器在具体场合应用时的串扰降低到了一个合理的水平。 相似文献
68.
教学片段对比展示
片段一:多媒体环境
河北省武安市实验中学 孙建恩
1.视频导入,激疑引趣
师:首先,请大家观看视频。
教师播放视频——《有趣的电现象》(如图1)。 相似文献
69.
70.