AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

制备了大尺寸AlGaInP／GaAs SHBT和DHBT，对其直流特性进行了测试，并分析了AlGaInP／GaA。单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异，深入研究了影响AlGaInP／GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明：AlGaInP／GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关，采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。     

巧改老式彩电直流关机为交流关机

笔者在维修彩电过程中,将一些老式彩电的直流关机方式改为交流关机(又称全关机),既安全又实用、而且改装方法比较简单。不同老式彩电相对应的关机控制及改动电路有以下几种。一、主电源控制方式老式彩电用得最多的为继电器控制市电输入电源结构,如图1所示。220V电网电压通过电视机电源总开关S,再通过     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜，其晶体结构，氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构，随氮气分量由5％至30％增加，玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向；然后(200)取向逐渐消失，只有(111)单个优化生长取向；最后，没有衍射峰出现，薄膜趋于无定型结构。     

直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.     

直流快速开关加装分闸整定线圈

<正> 一、前言我们单位现有DS7—30/15 型直流快速开关100余台.它们是作为整流器和直流馈出线的过流保护装置用的.在运行或检修中,分闸整定值只能靠调整保持电磁铁的整定螺杆来调解,但由于没有装设电流检测装置,很难调准.如若把大电流发生器带到现场调试,由于重量大携带不动,给分闸整定工作带来很大困难.采用在祛磁铁芯上加装整定线圈,就能解决分闸电流的整定问题.二、分闸整定线圈的加装方法如图1所示,把祛磁铁芯CT取出,在祛     

一种基于模糊分类的故障诊断专家系统

本文介绍了利用模糊分类方法可对直流电动机的常见故障进行诊断的一种原型专家系统。其主要内容有诊断专家系统的结构及其特点,故障的模糊分类方法,诊断标准的确定及系统主要功能的实现方法等。     

1000t／h直流炉水冷壁爆管分析与水动力调试

主要从炉内热负荷分布、割管检查、水动力分配情况以及变工况运行等方面分析了洛河电厂２号炉水冷壁频发性爆管的原因。介绍在燃烧调整相对合理的条件下，按照水动力工况与热负荷匹配的原则，对水冷壁水动力进行了调试，提出了防止水冷壁超温的措施。