超快可调的二极管激光器

Omicron的新型二极管激光器，Deepstar，几乎拥有无限的调制能力，即使很高的调制率下，在调制“关闭”阶段也不会露出残余荧光。     

恒流二、三极管的特性及其应用

恒流二极管和恒流三极管是许多爱好者不太熟悉的半导体器件。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流,并有很高的动态阻抗。由于其温度特性好、价格较低、使用方便,因此目前被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管和三极管的性能特点1.恒流二极管的性能特点恒流二极管实际由两端结型场效应管连接而成,其电路     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

元器件与组件

保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…     

多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.     

侧面泵浦Nd∶YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd∶YAG连续激光器,采用了简单、实用的侧面泵浦结构,获得37.9W的连续1.064nm的激光输出,斜效率为31.5%,光效率为23.7%.     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。