准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵

高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器.报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果.为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法进行材料生长,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备1 cm激光条,填充密度为80%,单个激光条输出功率达100 W以上;另一方面器件采用高密度叠层封装结构,提高器件的总输出功率,实现了160个激光条叠层封装,条间距0.5 mm.经测试,器件输出功率达17kW,峰值波长为807.6 nm,谱线宽度为4.9 nm.     

应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.     

应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.     

应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉

介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10叠层的激光二极管列阵的热阻为0.121℃/W.相邻两个激光条的间距是1.17mm.在20%高占空比条件下,波长为808nm左右,峰值功率可以达到611W.     

879 nm直接抽运提高Nd:GdVO4激光器性能

激光二极管(LD)大功率端面抽运固体激光器(DPSSL)中的热效应会影响到激光器的各个方面,使得激光输出效率下降,光束质量变坏、谐振腔的稳定性变差等.采用新波段879 nm取代808 nm,将粒子直接激励到激光发射上能级,降低无辐射弛豫过程产生的热量,有效地减少热的产生,降低激光二极管端面抽运Nd:GdVO4晶体的热效应,获得更高性能的激光输出.在相同条件下通过879 nm激光二极管直接端面抽运及808 nm激光二极管间接端面抽运Nd:GdVO4激光器的实验比较,结果表明,在较高抽运功率下采用879 nm抽运提高了Nd:GdVO4激光器的激光输出性能.最后采用879 nm激光二极管端面抽运Nd:GdVO4晶体棒直线腔方案,在16.3 W的吸收抽运功率下,获得最大连续输出功率9.8 W的TEM00模1063 nm激光输出,对吸收抽运光的光-光转换效率高达60.1%,斜率效率达68.4%.     

激光二极管热特性测试

测试出C-mount封装,额定功率为2W,峰值波长为808nm的激光二极管（LD）在不同温度下的PIV曲线、光谱曲线、远场特性曲线,分析激光二极管的热特性及激光二极管各项参数随温度的变化规律,并分析原因。通过分析计算出波长温度系数k,并结合频率红移法计算出该激光二极管的热阻Rth值。结果证明Rth随温度变化而变化。     

应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。     

大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管

设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0.7μm,同时确保基横模的辐射损耗在0.2cm-1以下.采用MOCVD进行材料生长,得到了高性能的器件,100μm条形激光二极管的最大输出达10.2W.     

大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管

设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0.7μm,同时确保基横模的辐射损耗在0.2cm-1以下.采用MOCVD进行材料生长,得到了高性能的器件,100μm条形激光二极管的最大输出达10.2W.     

Alfalight公司计划发展具有“空前“光束质量，输出功率达到50W的激光二极管

由于热效应和材料自身的限制，单一激光二极管的输出功率低于10W。如今，Alfalight公司准备投人数百万美元研发输出功率达50W的单一激光二极管。     

2.3-μm High-Power Type I Quantum-Well GaInAsSb/AlGaAsSb/GaSb Laser Diode Arrays with Increased Fill Factor

Arrays of 100-μm-wide GaInAsSb/AlGaAsSb laser diode emitters with a fill factor of 30% have been fabricated. Suppression of lateral lasing was achieved by the incorporation of grooves between the emitters. A quasi-continuous wave (CW) (30 μs, 300 Hz) output power of 16.7 W from a 4-mm-long laser bar has been demonstrated.     

日本半导体光电子器件研究与开发的新进展

根据对日本九所研究所和大学的实地考察,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展,这些光电器件主要包括多波长光源和滤长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率ＧａＮ激光器和平面光波回路等。同时,介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。     

高性能的稳功率、准直半导体激光发射头

介绍一套实用的半导体激光发射头,其激光功率稳定、准直光束发散角仅为0.2 m rad、调制频率最高可达100 MHz,并具有可靠的保护线路。     

广义两段式半导体激光器的特性研究

利用由射线法导出的两段式半导体激光器(2SLD)的端面输出谱的表达式,研究了两电极半导体激光器(2ELD)和外腔式半导体激光器(ECLD).结果表明;2ELD的振荡波长并非始终都与腔的共振波长相同;在ECLD上实现准连续调谐的关键是使激光器能被调谐在二极管的反共振波长处振荡,因此,我们求得了ECLD实现反共振激射的阈值载流子数密度以及对界面反射率的要求的表达式。     

聚合物发光二极管和激光器的新进展

本文综述了最近几年国内外聚合物发光二极管和激光器的研究进展状况和前景。对几种典型结构发光二极管和激光器做了简要介绍。并指出，这个领域虽然取得了很大成功，但仍有一些棘手的问题急待解决。     

激光医疗应用新进展

综述了激光在医疗领域中应用的一些最新进展,既包括以“经典”机理为基础的,也包括以光子动力学为基础的,特别强调了二极管激光器的应用前景.     

3～5μm波段铅盐二极管激光器

用水平无籽晶气相生长技术、自扩散和台面条形结构制成了直到162K脉冲运转的Pb_(0.97)Cd_(0.03)S_(0.9)Se_(0.1)二极管激光器和28K下CW运转的PbS_(0.53)Se_(0.47)二极管激光器。其发射波长分别为3.22μm和5.53μm,脉冲和CW运转最低阈值电流密度分别为143A/cm~2和41A/cm~2。     

Applications of Semiconductor Lasers

1 Introduction The world first diode laser was developed in 1962, only two years later than the demonstration of the first world ruby laser. The diode laser had moved from the pure re- search laboratory to the consumer market not until the 1980s, mainly driven by the demand from optical infor- mation storage and optical communication. Most diode lasers are made of semiconductor materi- als from groups III (Ga, As, In) and V (N, P, As) of the Periodic Table[1]. They are also diode lasers b…     

半导体激光多普勒测速装置

介绍了采用半导体激光器为光源、PIN管为光电接收器的小型多普勒测速装置,为多普勒测速仪向便携式发展开辟了途径。     

红光半导体激光器的发展及其应用

本文简明介绍了红光半导体激光器的发展及其应用范围,说明了它在激光工业中的重要性。