利用动力吸振器进行随机响应控制的研究

对实际结构作减振设计是，经常遇到结构激励源未知的情况。本文研究利用的动力特性和实测的随机响应数据，设计动力吸振器的问题。利用频响函综合技术，导出了结构安装动力吸振器胶后的响应之间的关系，运用优化方法，确定动力吸振器的最优设计参数。     

Characteristics of Schottky Barrier Junction Based on Hexagonal Microtube ZnO

Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors.     

SHAW露点仪

英国SHAW露点仪是具有60年专业制造经验，国际著名品牌。便携式自动露点仪用于快递检测不同地点压缩空气、煤气或其他三体的露点温度和PPM温度。具有1s快速响应，1min自动校准，1PPM精度保证。具有-100℃～0℃的多种量程，是大型企业净化设备厂家及压缩机经销商必备的检测工具。     

数字控制系统的扰动响应技术

在自动控制系统中，一个合适的扰动响应对于获得良好的控制特性是很重要的，本文讨论了扰动在几种具有ＰＩ反馈控制的数学控制系统中的响应，从而得出具有参考和扰动信号之间的系统响应关系。     

ZS1756振动筛动态分析

应用ＳＡＰ５Ｐ软件计算矿用振动筛前４０阶固有模态，从提高寿命观点看，第１阶，第３－４阶和第６阶模态应采取抑制措施；从队噪观点看，前６阶模态应给予注意。     

同步式双螺杆泵螺杆瞬态动力学分析

螺杆是螺杆泵增压核心部件,其性能优劣对螺杆泵的整体性能具有决定性的影响。利用三维实体造型软件Pro/E建立准确实体模型,然后导入有限元分析软件ANSYS,建立了合理简化的螺杆瞬态分析模型,根据有限元思想将连续变化的压力承载面离散处理,利用ANSYSAPDL程序实现波动载荷的加载,从而实现转子瞬态动应力和响应特性的求解。     

中子巡测仪的适用性与定度

ICRU 39号报告定义了一个称之为周围剂量当量的辐射量,即齐向扩展场AP照射条件下ICRU球体(直径30cm,密度为1g/cm~3的组织等效球体)内10mm深度处的剂量当量,用符号H~*(10)表示。按此量定度的仪器,可用来定量地估计强贯穿辐射所致有效剂量当量H_E。可是,现有中子巡测仪或雷姆仪是按ICRP 21号出版物推荐的非球形受体中的最大剂量当量H_M定度的,此类仪器可否适用于周围剂量当量测量,这个问题尚须探讨。     

In0.53Ga0.47As／InP异质结光电二极管的深能级

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测定了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ异质结光电二极管的ＤＬＴＳ谱。发现存在一电子陷阱，该陷阱能级位于导带底以下０．４４ｅＶ处，能级密度为３．１０×１０１３ｃｍ－３，电子俘获截面为１．７２×１０－１２ｃｍ－２。由于深能级的存在，导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。     

20keV～17MeV中子能谱测量

基于质子反冲方法，建立了一套宽能区，高效率的中子谱仪系统，分别用三支充不同气压氢和甲烷的球形正经计数管和一个有机闪烁探没器分段测量２０ｋｅＶ～１７ＭｅＶ的中子能谱，为了去除γ射线本底，对两种探测器分别采用了两种不同的脉冲形状别技术，谱仪直接测量的是中子在探测器中产生的反冲质脉冲幅度谱，通过解决矩阵方程的方法得到中子谱，解谱中所用的各个探测器的中子响应矩阵均蒙特－卡洛方法计算得到，谱仪在全能区的中子     

掺硼金属膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ４Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。