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101.
详细研究了高压偏移栅P沟MOSFET在Co^60-γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明:;击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外,γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅P沟MOSFET具有重要的指导作用。 相似文献
102.
提出一种用于带电测量输电线路互感参数的新方法。该方法采用全球卫星定位系统(GPS)送出的时间同步信号作为各测量点的同步采样基准,解决了不同端线路互感参数带电测量的同时性问题。文中对该方法进行了理论上的分析,对于于带电测量互感的计算机系统的硬件组成进行了介绍。该装置已成功地用于实际之中。 相似文献
103.
104.
对高压开关设备机械试验中故障类型及归属定义了判据,提出用PLC可编程序控制器实现故障诊断的技术方案,对GB3309有关条款提出了修订意见。 相似文献
105.
106.
概述了高压放大器的基本组成,以及采用高压稳压电源措施,提高高压放大器的性能,并简述了高压放大器输出级的工作原理,给出了过渡保护方法。 相似文献
107.
本文通过对电厂主厂房地基处理方案的比较,主要介绍了高压加筋旋喷桩在该地质条件下的适用性及通过工程桩检测对所选方案的评价。 相似文献
108.
109.
110.
高压对SiCp/Al复合材料塑性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自已开发研制的高压拉伸实验设备,进行了SiCp/AlMMC在不同压力等级下的高压拉伸实验。研究了SiCp/AlMMC在高压下的塑性变化,借助扫描电镜对拉伸后的试样进行了宏观及微观断口分析。结果表明:SiCp/AlMMC在高静液压下塑性可得到很大改善,随压力提高、塑性指标在实验压力范围内呈规律性变化,其断裂方式也由宏观脆性正断逐步转化为韧性切断。 相似文献