Single event soft error in advanced integrated circuit

As technology feature sizes decrease, single event upset (SEU), and single event transient (SET) dominate the radiation response of microcircuits. Multiple bit upset (MBU) (or multi cell upset) effects, digital single event transient (DSET) and analogue single event transient (ASET) caused serious problems for advanced integrated circuits (ICs) applied in a radiation environment and have become a pressing issue. To face this challenge, a lot of work has been put into the single event soft error mechanism and mitigation schemes. This paper presents a review of SEU and SET, including: a brief historical overview, which summarizes the historical development of the SEU and SET study since their first observation in the 1970's; effects prominent in advanced technology, which reviews the effects such as MBU, MSET as well as SET broadening and quenching with the influence of temperature, device structure etc.; the present understanding of single event soft error mechanisms, which review the basic mechanism of single event generation including various component of charge collection; and a discussion of various SEU and SET mitigation schemes divided as circuit hardening and layout hardening that could help the designer meet his goals.     

低功耗CMOS UWB LNA设计综述

本文介绍了适用于WB-LNA电路设计的五种结构,分析了每种结构的噪声系数及其他性能参数。结合当前最新设计,分析探讨了电流复用技术、等效跨导增大技术以及噪声消除技术。电流复用技术可以降低功耗,且不受限于各种结构;等效跨导增大技术用于共栅结构WB-LNA电路,在不增加功耗的前提下,提高增益和噪声性能;噪声消除技术可以用于共栅结构或电阻反馈结构WB-LNA电路,主要用来改善噪声性能。     

硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究

详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响，结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电，提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。     

注BF^＋2MOS电容的电离辐射效应

着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。     

BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．     

不同剂量BF^＋2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析

借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

掺HCIPMOSFET的电离辐射总剂量效应

用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣＩ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣＩ能抑制辐射感生阈电漂移和界面态增长；固定ＨＣＩ流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ的最优通入时间范围为１０－１５０ｓ，过量的ＨＣＩ掺入，其抑制辐射损伤能力减或消失。用ＨＣＩ参栅介质中的作用是正负效应的综合，解释了实验结果。     

栅氧化方式对注FMOSFET电离辐射效应的影响

对氢氧合成和干氧栅氧化后注Ｆ的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＥＴ和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了γ射线辐照试验，比较了两种栅介质注Ｆ的电离辐射响应特性。研究表明，氢氧合成栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳＦＥＴ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态生长的能力。用一个新的模型对实验结果进行了讨论，该新模型中用Ｓｉ－Ｆ结键替代其它在辐射场中易成为电荷陷阱的应力键，并考虑到不同氧化方式导致栅介质本身具有的电子陷阱数、空穴迁移率和氧化时所引     

MOSFET的低温(77°K)电离辐照特性

本文采用MOSFET的亚阈外推测量技术,研究MOSFET在低温(77°K),~(60)Coγ射线辐照下,辐照感生氧化层电荷和界面态。在77°K辐照下,n沟道MOSFET辐照感生氧化层电荷比室温更加明显。77°K时,辐照感生界面态的增加是室温辐照下的20％左右。p沟MOSFET在77°K辐照下,处于截止偏置的退化大于导通偏置。导通偏置辐照时,未观察到界面态的产生。