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71.
Analysis of non-stationary electrochemical oscillations emerges utilization of the techniques allowing an observation of time evolution of their parameters such as instantaneous frequency, amplitude or frequency band. An algorithm of extraction of these parameters can be based on one of linear or quadratic time-frequency representations of oscillations record. In this paper, the authors present representatives of such transformations (Choi-Williams and Cone-shaped) originating from one of the most popular joint time-frequency energy distribution—Wigner-Ville distribution. Short introduction to the mathematics of the topic discussed is provided, then the authors present an example of application in the analysis of current oscillations of copper dissolution process.  相似文献   
72.
以基本的红外辐射理论为依据,阐述了红外焦平面阵列非均匀性校正的物理原理,首次综合性地论述了标定类方法所存在的三个基本限制因素,并重点给出了红外焦平面阵列响应漂移的实验结果。  相似文献   
73.
一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。  相似文献   
74.
The present empirical investigation had a 3-fold purpose: (a) to cross-validate L. R. Offermann, J. K. Kennedy, and P. W. Wirtz's (1994) scale of Implicit Leadership Theories (ILTs) in several organizational settings and to further provide a shorter scale of ILTs in organizations; (b) to assess the generalizability of ILTs across different employee groups, and (c) to evaluate ILTs' change over time. Two independent samples were used for the scale validation (N1 = 500 and N2 = 439). A 6-factor structure (Sensitivity, Intelligence, Dedication, Dynamism, Tyranny, and Masculinity) was found to most accurately represent ELTs in organizational settings. Regarding the generalizability of ILTs, although the 6-factor structure was consistent across different employee groups, there was only partial support for total factorial invariance. Finally, evaluation of gamma, beta, and alpha change provided support for ILTs' stability over time. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)  相似文献   
75.
正确选择气顶油藏高效开发模式   总被引:17,自引:1,他引:16  
通过对不同类型气顶油藏的油气水分布特征及气顶和边水能量的研究分析,计算水侵量与边水体积及合理的弹性产率。提出适合气顶油藏特点的开发模式是先开采油区后开采气顶,并以唐家河油田港深18—2断块为例,证明采用该模式可以高效开发气顶油藏。图3表1参6  相似文献   
76.
刘秀 《鱼雷技术》2003,11(3):35-37
通过对减振器结构设计的理论分析,建立了减振器的数学模型,同时通过设计的模拟装置对减振效果进行了实测,效果良好。  相似文献   
77.
Oleuropein, a polyphenolic glucoside, constituent of olive fruit and oil, has been previously shown to exhibit, in vitro, potent properties as a biological antioxidant. In the present paper, two new properties are demonstrated in vitro as well, concerning its vascular protection activity, against the atheromatic lesion formation and its blood antithrombotic effect. Firstly, it was found that the oxidation of low-density lipoproteins (LDL), induced by different quantities of total polar materials (TPM), was inhibited by 10 μ M (final concentration) of oleuropein, revealing approx. 50% protection. Secondly, platelet-rich human plasma aggregation, induced by either the platelet-activating factor or adenosine diphospate or arachidonic acid, was inhibited by oleuropein. The 10 μ M (final concentration) of oleuropein was proven to be the most effective among the tested concentrations against LDL oxidation, while an IC50=0.41 mM was calculated for its inhibitory activity against platelet aggregation induced by 0.7 μ M platelet-activating factor.  相似文献   
78.
采用纯化学物质对高频加热-红外检测碳硫仪校准,对钛合金中的碳量进行测定。  相似文献   
79.
柳正钧  陈春丽 《核动力工程》1993,14(1):83-87,96
本文叙述了反应堆保护系统停棒与汽轮机降功率子系统的系统功能、保护参数和秦山核电站控制棒组插入监测器的设计与参数选择,确定了控制棒提升上极限值和在不同工况下棒插入低位、低-低位整定值,并在热态零功率条件下加以验证。试验证明参数选择是合理的,为功率运行阶段提供了数据。  相似文献   
80.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
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