STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

用高程与河道断面特性平均积分曲线图解河道水面线

从恒定、渐变流河段能量方程式中推导出以高程与河道断面特性平均积分曲线图解河道水面线的方法,并通过某河段水面线计算实例说明了此方法的计算图解步骤。对于同一河道,由于高程与河道断面特性平均积分曲线不变。故曲线可重复利用。因此,对进行多种设计标准的水面线计算可很方便地直接从曲线图上得出水面线结果。     

高层建筑供水方式及其耗能分析

文章探讨了高层建筑的供水方式及其耗能分析,详述了两种高层建筑的主要供水方式,并比较了它们在耗能方面上的优缺点.     

基于共振隧穿二极管的集成电路研究

RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性，使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT，HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上，对高速ADC／DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论，提出基于硅基RTD与线性阈值门（LTG）逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。     

无粘结预应力楼板新规范设计方法

目前国内现浇预应力楼板几乎均采用无粘结预应力方案,因而掌握其设计方法无疑具有现实意义。本文根据新规范,系统地介绍了高层建筑无粘结预应力楼板的设计方法,内容包括:设计原理、基本步骤及设计中需要注意的一些问题。     

建筑节能发展缓慢的原因及其对策

我国实施建筑节能已近10年，但仍然只停留在试点、示范的层面上，尚未扩大到整体．分析了造成建筑节能发展缓慢的原因，并提出了推行和普及建筑节能的对策．     

高职高专建筑设备专业人才培养目标与建议

目前高职高专建筑设备专业在人才培养方面主要存在着目标定位不准及理论教学与实践教学学时分配不当等问题,对此提出高等职业技术学院建筑设备专业的人才培养目标和培养建议。     

房屋建筑结构无损检测方法的分析与展望

通过对现有的结构无损检测方法的总结和分析,讨论了各种方法的优缺点.并结合现场测试的要求,展望结构检测技术的发展方向与趋势.     

胶凝砂砾石坝材料特性研究及工程应用

本文阐述了胶凝砂砾石坝的起源和发展情况。根据福建街面水电站下游围堰的施工要求，即施工期作为挡水堰，运行期作为量水堰，设计了围堰坝体的断面，对堰体的应力、稳定和渗流进行了分析，提出了材料的性能参数要求，并探讨了胶凝砂砾石材料的渗透溶蚀性能。研究结果表明，采用当地天然砂砾石，掺入水泥和粉煤灰各40kg/m3，其180d龄期抗压强度等级可达到C7.5，并满足围堰的力学、稳定、防渗和抗溶蚀要求，缩短了工期，降低了造价。     

高层建筑结构设计特点与剪力墙设计

围绕高层建筑结构，总结了高层建筑结构设计的特点，提出了剪力墙设计的几个问题，以及高层建筑结构分析和各种体系相对应的方法。