Effect of glass removal on the GMI effect of Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires

During the past several years, giant magneto-impedance effect (GMI) in amorphous wires has generated growing interest in the science community because of theirapplications in sensors. The giant magneto-impedance effect in Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires (AGCW) consists of strong changes in the high frequency impedance with a small DC magnetic field. When f =1 MHz, there is no GMI effect due to the fact that the magnetic penetration depth is higher than their radius. As the frequency increases, the GMI effect becomes important in both the glass-covered wire and the wire afterglass removal. Field dependence of the impedance has a similar behaviour to the AGCW ones, when a tensile stress is applied to the wire without glass cover.     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。     

处理电流密度对钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了焦耳处理工艺的处理电流密度对Co68.15Fe4.35Si12.5B15和Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。样品在不同电流密度下进行了处理。实验结果表明：焦耳处理存在最佳电流密度，对Co68.15Fe4.35Si12.5B15窄带来说，最佳处理电流密度为30A／mm^2，处理后样品的阻抗变化率峰值和灵敏度分别为119％和73％／Oe；对Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15窄带来说，最佳处理电流密度为35A／mm^2，处理后的阻抗变化率峰值为232％，灵敏度在30A／mm^2时达到42％／Oe。处理后样品的内应力得到有效释放，软磁性能提高，使薄带的巨磁阻抗效应较淬态时有了明显提高。处理电流密度是焦耳处理方法中影响钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的一个重要参数。     

《110》和《112》取向Tb-Dy-Fe超磁致伸缩合金的定向生长

采用区熔定向凝固方法,在30-720 mm/h生长速度范围内,均能获得〈110〉轴向择优取向生长的Tb-Dy-Fe合金;凝固形态随生长速度提高出现从平面晶到胞状晶、树枝晶转变;低速生长(30 mm/h)的样品磁致伸缩性能没有压力效应,高速生长(≥120 mm/h)的样品磁致伸缩性能具有明显的压力效应.低生长速度时〈110〉取向样品按双{111}系孪晶生长,高生长速度时按单{111}系孪晶生长,由此计算样品的磁致伸缩性能与实验结果基本吻合在更高生长速度下(900 mm/h)获得沿〈112〉轴向高度择优取向的样品,其磁致伸缩性能与高生长速度〈110〉取向样品性能相当,具有明显的压力效应.     

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi／Ag／FeZrBNi三层膜，对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明，样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18％和31％，取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz；在此频率下，样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153％和5117％．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．     

中国水电工程技术创新实践与新挑战

近十余年来,中国的水电工程建设发展迅猛,建设了以三峡工程为代表的多座高坝大库,水电工程技术也取得了一系列重大突破。结合众多工程实践,阐述了我国水电工程在坝工技术、电站、通航建筑物等方面的创新成就。根据我国水电发展的现状,分析了我国水电工程建设面临的新挑战,并从工程安全、技术、环保、移民等方面提出了未来的水电科技创新方向。     

非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。     

Production of perovskite-like La1−xCaxMnO3+δ ferromagnetic thin films by electrochemical reduction

Ferromagnetic and perovskite-like thin films (<1m) of La1–xCaxMnO3+ have been routinely prepared by heat treatment of an amorphous La–Ca–Mn precursor. The precursor was electrodeposited cathodically in the absence of oxygen and water onto polished silver substrates from a nonaqueous solution of the components' nitrates. Analysis by X-ray diffraction and SQUID magnetometry shows these materials exhibit the appropriate structural and magnetic phases indicative of colossal magnetoresistance.     

巨磁阻抗磁传感器研究进展

巨磁阻抗效应是指材料的交流阻抗在外加直流磁场的作用下发生显著变化的现象,利用该效应研制的巨磁阻抗磁传感器具有灵敏度高、体积小和功耗低等特点,具有巨大的应用前景.分析了巨磁阻抗磁传感器的研究现状,重点介绍了磁场传感器、电流传感器和生物传感器的工作原理和特性,并指出了其目前存在的问题和发展趋势.     

高灵敏巨磁阻抗小型磁传感器研制

利用单辊快淬法制备了CoFeNiSiB非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能.以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 mT弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/mT,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力.