低功耗高速时钟数据恢复电路

为了降低高速串行接口的时钟数据恢复(CDR)电路的功耗,在研究、分析现有时钟数据恢复结构的基础上,提出了一种新的时钟数据鉴相算法及其电路实现方法。新的电路设计仅使用一个高速采样时钟,比传统的鉴相电路减少一半的采样率,从而减少了前端采样模块的功耗。该鉴相算法采用统计方法减小鉴相时钟的噪声,进而达到很低的误码率。该鉴相算法可使用数字综合的方法实现,工作在较低的频率下,这样便于迁移到不同的工艺中。整个电路使用40nm工艺实现,实际芯片测试数据表明,使用该电路的接收端可以稳定工作在13Gb/s的速率下,功耗达到0.83p J/bit,误码率低于10E-12。     

钛合金交替供气GMAW焊接研究

研究了钛合金GMAW保护气交替供气方式对TA2平面堆焊焊缝的影响。利用高速摄像、电流传感器对焊接过程电弧形态、熔滴过渡、电流信号等信息进行采集,并记录焊缝的形貌特征,试验结果表明,交替保护下熔滴过渡方式为细滴状轴向过渡和粗滴状非轴向排斥过渡的混合过渡模式;平均焊接电流随时间延长以类似正弦波上下交替变化,变化频率与交替频率保持一致;相比Ar气、预先混合气,交替保护能够获得熔深更深、熔宽更宽的焊缝。     

列车运行引起坡子街村房屋振动测试与分析

武广城际铁路列车通过坡子街村时,导致了该村A、B、C三栋房屋明显振动。为了分析房屋振动原因,进行了现场振动测试,从而获得了列车通过时三栋房屋的振动时程。依据测试数据,分别从时域和频域两方面进行处理分析,分析表明:高速列车运行产生的振动引起B、C两栋房屋x轴方向发生共振现象。由于共振效应,B、C两栋房屋x轴方向振动速度峰值反而大于距铁路更近的A栋房屋。结果还发现:列车运行速度加快会明显增加房屋共振的幅度,但列车长度对房屋共振的幅度及振动持时影响均不明显。     

超声冲击对高速列车转向架焊接十字接头超高周疲劳性能的影响

针对高速列车转向架在实际运用中出现的疲劳问题,利用HJ-Ⅲ型超声冲击处理装置,对高速列车转向架用SAM490BW钢十字接头焊趾进行超声冲击处理,并对处理后接头的超高周疲劳性能进行研究。结果表明,原始焊态试样和超声冲击态试样的S-N曲线均出现了传统意义上的水平段。超声冲击处理试样的疲劳强度相比于未处理试样提高了25%。经过超声冲击处理后,疲劳裂纹源的数量由多个变为单个,焊接接头焊趾处的应力集中系数下降了32.4%,降低了裂纹萌生概率;超声冲击降低了焊趾区域的残余拉应力,并诱发产生残余压应力,高达-255.5 MPa;焊趾表层晶粒得到细化,晶粒平均尺寸小于100nm;裂纹在塑性变形区扩展路径变长。     

横风下高速列车系统动力学的平衡状态法

基于车辆-轨道耦合动力学和空气动力学提出了一种快速计算横风下高速列车系统动力学行为的平衡状态方法.首先,忽略轨道不平顺并利用流固耦合联合仿真方法计算横风下高速列车的平衡状态;然后,将平衡状态下的气动力加载到车辆-轨道耦合动力学模型并计算高速列车动力学响应.利用建立的平衡状态方法,研究了列车在速度为13.8 m/s的横风下以350 km/h速度运行时的流固耦合动力学行为.比较了平衡状态方法和联合仿真方法两种方法下列车姿态、安全性和舒适性指标的差异,计算结果差别在3.26%以内.研究结果表明:平衡状态方法计算横风下高速列车流固耦合的效率更高.     

An Approach to Synthesize Thick α- and γ-Al2O3 Coatings by High-Speed Physical Vapor Deposition

Crystalline α- and γ-Al₂O₃ exhibit in many applications high wear resistance, chemical resistance, and hot hardness, making them interesting materials for production engineering. To synthesize α-Al₂O₃ with high coating thickness of s ≥ 10 μm, chemical vapor deposition at temperatures T > 1000 °C is well established. However, there are almost no studies dealing with the synthesis of thick α-Al₂O₃ by physical vapor deposition (PVD) at high temperatures T > 700 °C. High-temperature deposition of thick coatings can be realized by means of the dense hollow cathode plasma, combined with the transport function of the plasma gas in high-speed (HS) PVD. Herein, crystalline α- and γ-Al₂O₃ films are deposited on cemented carbides at substrate temperatures T _s ≈ 570 °C and T _s ≈ 780 °C by HS-PVD. These coatings exhibit a thickness up to s = 20 μm. Moreover, phase analysis presents α-phases in coatings synthesized at substrate temperature of T _s ≈ 780 °C with significant higher hardness than films by T _s ≈ 570 °C. These release the potential of HS-PVD to synthesize α-Al₂O₃ coatings with high thickness. Thereby, a higher thickness of these coatings is beneficial for the wear protection of turning and die casting tools.     

基于ARM＋Linux的高速数据采集系统

文章结合某化工厂的实际需求,设计出了结合Linux的嵌入式微处理器ARM高速数据采集系统,并着重阐述了在ARM和Linux操作系统上,选用ARM920T架构的S3C2410处理器,结合128MBSDRAM和256MBFLASH进行的系统设计,详细讨论了目标系统实现的关键设计。     

用于虚拟仪器的USB2·0接口高速数据采集卡的设计

提出了一种用于虚拟仪器的USB2.0接口高速数据采集卡的设计。针对USB2.0高速模式实现难的问题,分析了高速数据路径上的所有瓶颈及其解决方法,提出了系统的同步设计方法。选择ADS5232作为高速A/D芯片,CY7C68013作为USB2.0接口芯片,充分利用了该芯片提供的高速模式、自动工作模式和Slave FIFO端口模式,使用FPGA作为所有模块的控制器,CPU不参与数据处理,只用于寄存器初始化,从而实现高速采样和高速传输。软件部份分析了固件程序,驱动程序和主机应用程序的功能特性以及采集卡和Labview开发工具的接口问题。硬件测试的USB2.0接口的净荷平均速率达到149.6 Mbps,表明高速模式的采集卡是可以实现的。     

大容量高速数据存储与地址管理方法

针对单片闪速存储器FLASH容量小、存储速度慢的缺点,提出一种利用FLASH实现大容量高速阵列存储系统的设计方案;根据FLASH存储器芯片结构特性,采用位扩展、并行总线及多通道流水线存储技术提高了存储容量与存储速度,并且实现了对存储阵列的无效块识别与有效块表的建立,在存储过程中各个模块对其有效块地址进行独立管理,保证存储系统的稳定性和高效性;通过试验验证按此方法实现的存储系统存储速度可达到64MB/s,存储容量能达到32GB,用相对小容量、低速的FLASH存储器构建了大容量高速阵列存储系统。     

多核高速并行数字信号处理板设计及应用

随着DSP芯片生产制造技术的日益发展,基于多核的高性能DSP在通信与信息系统、信号与信息处理、自动控制、雷达、军事、航空航天、医疗、家用电器等许多领域获得越来越多的应用。文章将介绍基于4片ADSP-TS201的高速并行数字信号处理板的软硬件设计及在某雷达相参处理设备中的应用。