串行16位DAC转换芯片在流量手操器中的应用

本文介绍串行16位D／A转换芯片MAX541及其与AT89C52单片机的接口电路、相应的转换子程序，并给出其在过程流量手操器中的应用。     

溶胶-凝胶法制备Na_2WO_4~-Mn/SiO_2催化剂及其甲烷氧化偶联反应性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备了一系列5%Na2WO4-2%Mn/SiO2催化剂;用XRD、XPS、BET、O2-TPD和CO2-TPD等方法对催化剂进行了表征,并考察了对甲烷氧化偶联反应的催化性能。结果表明,与常规浸渍法相比,采用溶胶-凝胶法制备的Na2WO4-Mn/SiO2催化剂中W和Mn的原子浓度在催化剂表面和体相分布较为接近,而且两种制备方法所得的催化剂具有相似的催化性能,Na2WO4与α-方石英之间的相互作用,催化剂释放晶格氧的能力,碱性强弱是影响甲烷氧化偶联活性的关键因素。     

二氧化碳加氢直接合成二甲醚催化剂的研究——沉淀次序对复合催化剂结构和性能的影响

以草酸乙醇溶液为沉淀剂,采用不同的沉淀次序(并流、反加和正加)制备了CuO-ZnO-Al2O3/HZSM-5复合型催化剂,对CO2加氢直接合成二甲醚反应的催化活性顺序为:并流法催化剂>反加法催化剂>正加法催化剂。3种复合催化剂的还原温度由低到高的顺序为:并流法催化剂<反加法催化剂<正加法催化剂。在沉淀过程中,反加法和正加法均形成类胶体沉淀,相应催化剂的比表面积也较大。IR研究发现,催化剂在1101cm-1处表现Cu/Zn/Al氧化物与HZSM-5分子筛之间相互作用的IR吸收峰强度与其催化活性间存在对应关系。XRD结果表明,并流法得到的催化剂前驱体中有铜锌同形取代现象,有利于催化剂活性的发挥。     

大庆长垣西侧扶杨油层油水同层形成及识别

结合松辽盆地大庆长垣西侧扶余、杨大城子油层的勘探实践,从顶生下储的特殊成藏原理出发,详细地讨论了扶余、杨大城子油层的油水层形成机理,提出了2种形成模式。认为扶杨油层的油水同层是在以上覆烃源岩的超压为驱动力的成藏条件下形成,油水混合运移注入储层,由于储层的孔喉小,油水重力分异不好,造成孔隙存油,喉道存水。这种低渗透储层孔隙结构复杂,含油饱和度低,油水在孔隙中分布状况特殊,使得电阻率等曲线反映流体的信息变弱,造成油水层识别变难。为此提出多参数降维油气水层识别方法,经实际应用取得较好的效果。      

Ni-La/AC甲醇气相羰基化催化剂失活行为的研究

采用等容浸渍法制备了Ni-La/AC双金属催化剂,在连续流动固定床反应装置中,于260℃、1.5 MPa、CO/CH3OH/CH3I摩尔比20/19/17、.5 g-cath.mol-1条件下考察了催化剂的稳定性,并通过BET、XRD、TPR和ICP等技术手段对甲醇气相羰基化反应失活前后Ni-La/AC催化剂进行了表征,考察了催化剂在反应过程中的结构变化和失活行为。结果表明:La组分的引入促进了Ni在催化剂表面的分散,提高了反应的初活性。但是在长时间运转条件下,羰基化活性中心Ni晶粒发生聚集,成为积碳的活性中心,堵塞了部分催化剂微孔,使得催化剂比表面积减小导致催化剂失活。失活催化剂再生后,比表面积有所回升,但Ni晶粒明显增大,反应过程中失活速率加快。此外,活性金属镍的流失以及Ni、La在催化剂上分布的变化也是催化剂失活的原因之一。     

新设备技术在催化裂化装置上的应用

文章介绍了近年来在催化裂化装置上应用的新设备、新技术,如BY型旋风分离器、BSX型旋分式三级旋风分离器、上下拱型三级旋风分离器、下拱型三级旋风分离器、SHS“自蔓延”技术、SWY外取热器、BWJ型喷嘴、自流浇注料、Actehem高耐磨衬里、弓形钢丝纤维、侧拉环锚固钉、分体可拆人孔等的结构特点及实际应用情况。     

H.264/AVC技术进展及其务实发展策略思考

结合NGN及3G演进的固定、移动视频业务实际需求状况，论述H．264／AVC的重要技术进展及其务实发展策略。     

基于"层"模式的双机容错系统

容错技术广泛应用于各个行业来保证系统的冗余和可靠性。文章在分析比较当前的双机容错系统的性能优缺点后,提出了一种全新的基于“层”模式的双机容错系统解决方案。按照这种模式,可以从链路层到应用层构建一个通用的系统级的双机容错系统。文章对其实现的关键技术进行了阐述。     

抵御已知/选择明文攻击的混沌图像加密算法

论文在对现有一类典型图像混沌加密算法的分析基础上,提出了一种改进的图像混沌加密算法。该算法引入小波变换,可以有效地克服一些混沌加密算法不能抵御已知/选择明文攻击的缺陷。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。