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31.
开关电源的平均电流自动均流技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对多个开关电源并联时易出现负载电流在各模块间分配不均的现象,介绍了常用的负载电流自动均流法——平均电流自动均流法及其工作特性。并针对其存在母线电压降低的缺陷,提出了一种改进的平均电流自动均流方法,经试验证明均流精度比较高。  相似文献   
32.
以亚欧海底光缆S2段为例,介绍亚欧海底光缆远供电源(PFE)的供电方式,以及其在正常运行时和故障维修时的维护管理方法。探讨在实际维护中如何贯彻落实及灵活运用系统联合维护文档,总结适合中国国情的远供电源维护经验,确保亚欧海底光缆远供电源安全稳定运行。  相似文献   
33.
MPTA型原油脱金属剂的工业应用   总被引:2,自引:2,他引:0  
在对高金属含量原油进行初步评价的基础上,利用SH—Ⅰ型电脱盐试验仪对自主开发的MPTA型原油脱金属剂进行了原油脱金属的实验室研究。结果表明,当MPTA型脱金属剂加入量为250μg/g时,钙的脱除率可达97.4%,并且对其它金属元素,如镍、铁、钠、锰、铝和钒也有明显的脱除效果。该剂在山东恒源石油化工股份有限公司重交沥青车间500kt/a的电脱盐装置上进行原油脱金属工业试验的结果表明,经过二级电脱盐处理后,钙的脱除率达到99.1%,钠的脱除率为94.6%,铁的脱除率为82.9%,并可在一定程度上降低原油中镍和铜的含量。使用MPTA型原油脱金属剂显著降低了一、二级电脱盐装置的电场电流,有利于炼油厂的节能降耗。  相似文献   
34.
电流叠加型CMOS基准电压源   总被引:4,自引:0,他引:4  
夏晓娟  易扬波 《微电子学》2006,36(2):245-248
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。  相似文献   
35.
全光网中的光信噪比估算与系统设计   总被引:3,自引:1,他引:2  
戴无惧  张汉一  何永琪 《中国激光》2003,30(12):1095-1098
指出了WDM光传送网中 ,级联光上下路节点或光交叉连接节点后 ,系统构成上与传统级联线路放大器情况下的差异以及常用光信噪比评估公式的近似性。对WDM光传送网中线路给出了一个等效模型 ,并详细推导了光信噪比的计算公式 ,同时计入了光放大器的自发辐射噪声引起的饱和效应。最后针对不同系统配置情况进行了光信噪比的估算 ,分析了估算结果及其对线路设计的指导意义  相似文献   
36.
SOI光电子集成   总被引:2,自引:0,他引:2  
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。  相似文献   
37.
潘炜  韩彦明 《现代雷达》2006,28(12):6-8,14
天波超视距雷达是低空防御系统中一种有效的预警手段。通过采用光纤传输技术,利用其信息传输容量大,速度快,频带宽,抗干扰能力强,线路损耗低。易于施工等特点,实现全相参雷达的信息传输和系统控制,具有优良的保密性,稳定性、抗干扰性和抗摧毁能力。  相似文献   
38.
通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。  相似文献   
39.
超高压大容量铝电解电容器的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12~27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。  相似文献   
40.
欧文  李明  钱鹤 《半导体学报》2003,24(5):516-519
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.  相似文献   
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