双基地雷达的探测范围分析

从双基地雷达方程出发,通过实时采集探测目标的双站雷达散射截面,计算出了双基地雷达对目标的探测区域,得到了有价值的结论,为双基地雷达用于工程实际提供了理论依据。     

江雷——科学前沿的探险者

纳米科技自80年代末发展起来，迅速成为全世界关注的热点前沿科技领域。纳米科技将大大拓展和深化人们对客观世界的认识，使人们能够在原子、分子水平上制造材料和器件，导致信息、材料、能源、环境、医疗与卫生、生物与农业等领域的技术革命，将是21世纪新的经济生长点。而江雷正是这个前沿科技领域的一个勇敢、年青的探险者。江雷，1965年生。1987年毕业于吉林大学物理系固体物理专业，1990年在该校化学系物理化学专业获硕士学位。1992年-1994年作为中日联合培养的博士生在东京大学留学,回国获博士学位。1994年-1996年在东京大学做博士后…     

MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真

使用TSUPREM－4二维集成电路工艺仿真系统对P－MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为，提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。     

给水管材发展浅析

我国新型给水管材发展迅速,复合管将成为给水管材的热点,以PE为过水界面,以金属材料为结构的复合管,将是发展方向。     

高阻尼金属基复合材料的发展途径

在综述传统高阻尼金属材料和金属基复合材料的阻尼特性的基础上，探讨获得高阻尼性能的金属基复合材料的途径，指出采用高阻尼的基体合金，采用高阻尼的增强物以及设计高阻尼的界面层是效的三种方法，为发展密度更小同时又集结构与阻尼功能于一体的新型材料提供了可能。     

圆柱轴上与轴线垂直相交的孔的位置度误差检测

本文通过圆柱轴上与轴线垂直相交的孔的位置度误差检测分析，指出位置度误差很难直接测得，一般要根据其公差带合理分解成几项位置误差分别检测，再通过合成才能得到位置度误差值。并说明了分解及合成方法，以及对加工有位置度要求的零件的实用意义。     

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。