激光水下成像技术及其进展

介绍了近年发展起来的三种主要的激光水下成像方法，即常规水下激光成像、高分辨率水下激光三维成像和偏振激光成像，分析了它们各自的工作原理、特点以及各自的发展状况。     

16位ADC具有出色的SNR和IF采样性能

用于MCF532x和MCF537x ColdFire系列产品的开放源代码开发工具支持液晶显示器（LCD）和连网功能，能够简化嵌入式连网和图形用户界面（GUI）系统的开发。ColdFire板卡支持包包括：带有基本以太网和串行通信驱动的uCLinux工具链和内核，完全的传输控制协议／互联网（TCP／IP）堆栈。     

一种红外背景数据库（上）

1 引言 为了研究目标/背景现象,需要对红外背景的空间、光谱及时间特性进行表征。要使这项工作做到切实可行,就必须收集大量背景数据。而要实现这一目标,唯一的办法就是对所选的背景地形反复进行测量,以建立一个数据库。     

30.4 nm光电成像系统分辨率的初步实验研究

本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统，用于对波长为30．4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像．结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像，实验测得490μm的成像系统的空间分辨率，并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施．     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

荧光共焦显微术与多光子显微术的差别

共焦显微术和多光子显微术因其可以对厚的生物样品实现光学断层成像，因而在生物医学等领域具有广泛的应用前景，本文详细综述了共焦显微术和多光子显微术在成像原理及特性等方面的差别，在此基础上，讨论了每种显微术各自的优点、局限性及应用前景。     

浸入式水口耐火材料与钢水间反应对气泡性缺陷发生率的影响

本文分析研究了浸入式水口的多孔质耐火衬与钢水间反应对气泡性缺陷发生率的影响，并探讨了通过使用不 与钢水发生反 应的无二氧化硅多孔质耐火衬可以防止气泡性缺陷发生的机理。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。