Gd：PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｇｄ２Ｏ３,采用Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体,测试晶体的透射光谱,激发发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯ＰｂＷＯ４晶体,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体的吸收过紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率,Ｇｄ＾３＋掺入ＰｂＷＯ４晶体中,抑制了Ｐｂ＾３＋的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体是比Ｐ     

电子辐照CZ—Si单晶的深能级

常熳下用剂量为４×１０＾１５电子／ｃｍ＾２的１．８ＭｅＶ电子束对ＣＺ－Ｓｉ单晶制成的ｐ＾＋ｎ二极管进行了辐照，采用能级瞬态谱技术在该样品中观察到４个深能级，并对其形成原因进行了讨论。     

KTNNP晶体的倍频效应研究

采用激光粉末倍频法,对掺入相同浓度Ｎｂ＾５＋离子（１％）和不同浓度Ｎｄ＾３＋离子的ＫＴＰ－Ｋ６体系中生长的ＫＴＮＮＰ晶体进行了倍频效应测试。结果发现,ＫＴＮＰ晶体的倍频效应较ＫＴＰ晶体增强了４％～５％。     

硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应

研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为１０＾１１ｃｍ＾－２，能量２．４５ＭｅＶ）和Ｏ＾＋＋＋（注入剂量为１０＾１０ｃｍ＾－２，能量１２ＭｅＶ）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明，两种辐照垃引起器件的光电流下降，暗电流增加，在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而Ｏ＾＋＋＋，辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤国快中子     

Er^3＋—Yb^3＋双掺杂有源光纤

报道了制造Ｅｒ＾３＋－Ｙｂ＾３＋双掺单模有源光纤的溶液掺杂技术，此光纤经紫外辐照后中收峰处损耗明显增加，而低损耗区损耗几乎不变。对激光器件应用而言，认为几百ｐｐｍ浓度和Ｙｂ＾３＋：Ｅｒ＾３＋＝２０：１掺杂比是合适的。探讨了Ｅｒ＾３＋和Ｙｂ＾３＋能级间相互跃迁机理，通过二者的交叉驰豫提高了泵哺吸收带范围和热稳定性。     

不同掺杂浓度Tm^3＋在YVO4晶体中光吸收各向异性的研究

在室温下测量了５种没的掺杂浓度（６．０ａｔ％,４．０ａｔ％,３．２ａｔ％）ＹＶＯ４;Ｔｍ＾３＋在２００－９００ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出,Ｔｍ＾３＋掺杂的ＹＶＯ４晶体光 Ｔｍ＾３＋浓度而变化,每一谱带形状和结构是相似的;而高掺杂浓度Ｔｍ＾３＋的光吸收相对强度比低掺杂浓度的ＹＶＯ４吸收强;不同晶轴ＹＶＯ４晶体吸收质显示出各向异性。观察到在ａ晶轴含π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了Ｔｍ＾３＋,ＹＶＯ４     

(Zn,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电子特性

依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ＾２＋和Ｎｂ＾５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质,利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。     

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。     

高能Ar^＋注入对P^＋薄层特性的影响

研究了高能Ａｒ＾＋注入对Ｐ＾＋薄层特性的影响。结果表明,正面高能Ａｒ＾＋注入能在有源区下隐埋一层缺陷带,可有效地净化表面有源区。用高能Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋注入制备出了反向漏电流仅１．９ｍＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）的二极管。     

SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

氯化钠晶体色心近红外光谱精细结构

在９～７７Ｋ温度范围内，在γ射线辐照和Ｈｅ＾＋注入的氯化钠晶体中观测到Ｒ２和Ｎ１心零声子线，以及其它窄吸收线，并在不同温度下系统地测量了这些吸收线的光谱特性和热稳定性。     

（Nd,Er）：YAG晶体中Nd^3＋和Er^3＋离子间相互作用

用激光加热基座法生长了Ｅｒ：ＹＡＧ、（Ｎｄ、Ｅｒ）：ＹＡＧ和Ｎｄ：ＹＡＧ单晶光纤，测试了单晶光纤的透过率谱和Ｅｒ＾３＋离子＾４Ｉ１１／２、＾４Ｉ１３／２态，Ｎｄ＾２＋离子＾４Ｆ３／２态的固有寿命τ０，双掺晶体中这些态的平均寿命τ０。讨论了Ｎｄ＾３＋离子对Ｅｒ＾３＋离子的敏化作用。     

CdCOB：Er^3＋,Yb^3＋晶体的光谱分析

生长了新型激光晶体ＧｄＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３：Ｅｒ＾３＿（简称ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋）,并测量了其室温透过谱、荧光谱及红外吸收谱。在９７４ｍｎ的二极管泵浦下,观察到微弱薄的绿光发射。在１５３６ｎｍ左右的荧光发射较强,讨论了ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋→Ｅｒ＾３＋的能量传递解释了绿光发射,提出Ｙｂ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋进行能量传递的机制。     

添加剂对高频电源用MnZn铁氧体磁性的影响

研究了添加剂对用于高频电源的ＭｎＺｎ铁氧体磁性的影响。研究表明添加剂的不同组合可以改善晶粒边界电阻率和磁导率频谱，发现Ｓｎ＾４＋、Ｔｉ＾４＋和Ｔａ＾５＋组合能提高晶粒电阻率并显著降低高频功率损耗。     

掺Cr^4＋饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量

本文给出一种测量掺Ｃｒ＾４＋饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法，并用之测量国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的两个吸收截面分别为４．３×１０＾－１８ｃｍ＾２和８．２×１０＾１９ｃｍ＾２；同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μｓ量级基态恢复时间的方法，并用之测得国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的基态恢复时间为３．２μｓ。     

光伏法研究高能电子辐照单晶硅的性能

采用光伏方法测量了１ＭｅＶ高能电子辐照（辐照剂量为１０＾１３～１０＾１６ｃｍ＾－２）前后硅单晶少子扩散长度的变化；结合红外光吸收谱的测量结果，分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明：高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力，大剂量的电子辐照可以改变ｎ型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的陷浓度等一些重要参数。     

非线性平板波导的横电模

本文提出分析线性薄膜一侧或两侧为非线性介质时自聚焦非线性平板波导横电导模的普遍方法，导出普适的色散关系式，并对两类非线性介质（ｎ＾２＝ｎ＾２＋αＥ＾２＋βＥ＾４及ｎ＾２＝ｎ２＋δＥ＋αＥ＾２）导出了计算模折射率与功率流，薄膜功率流与总功率流间关系以及模场函数的解析公式，给出了计算方法与步骤，并进行了实例计算与讨论。     

紫外线辐照能量对BaFCl：Eu^2＋光激励发光的影响

通过改变紫外线辐照能量，研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋的光激励发光性质，发现当紫外线能量大于或小于Ｅｕ＾２＋最低激发态能量两种情况下，光激励发光有明显的差异，还分析了产生差异的原因，并且给出了紫外线辐照能量与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。     

自对准GaAsMESFET的二维数值分析

本文对源漏ｎ＾＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位，电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＾＋注入深度对器件的特性有一定的影响。当ｎ＾＋注入深度为有源层厚度的１／４时，畴的体积最小。适当选取ｎ＾＋区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压。