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多层薄膜结构气敏效应研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在SnO2气敏薄膜层上覆盖一层或多层钝化材料(SiO2,Al2O3) 薄膜,制成的多层膜气敏元件,可很好地排除大分子气体如乙醇等对小分子H2检测的干扰,使其具有单独检测H2的功能。本文还通过测量元件的升温曲线,推导出敏感体表面的氧吸附活化能;找出活化能与灵敏度、选择性的关系。根据实验现象和物性分析结果,试着探讨了元件的敏感机理。 相似文献
62.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
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64.
利用2、4和14mm的X60钢紧凑拉伸试样进行同样应力水平、固定应力比(R=0.1)的疲劳裂纹扩展试验,揭示出高韧性管道钢的疲劳裂纹扩展存在显著的厚度效应。由于应力水平低,相应的离面应力也低,不足以导致分层开裂,因此,裂纹端部的三维应力约束随厚度增加而增大。4mm试样的疲劳裂纹速率远高于2mm试样,但厚度再增大,裂纹扩展速率不再有显著变化。进一步对表面裂纹试样进行疲劳裂纹扩展试验,并用勾线法纪录裂纹扩展情况,利用穿透裂纹的da/dN-ΔK曲线预测表面裂纹扩展,用2mm厚试样的数据控制裂纹表面长度的扩展,用14mm厚试样的数据控制裂纹底部沿厚度方面的扩展,得到了与表面裂纹扩展实验吻合很好的预测结果。 相似文献
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本文对双跨换热器传热管在静水中的结构阻尼与粘滞阻尼作了简介,并对在总阻尼中占主导地位的挤压膜阻尼作了较深入的讨论。Mulcahy 于80年代初提出的挤压膜阻尼数学模型是较为完善的,其缺陷是未计入管子振幅的影响,本文对它进行了修正。为了验证理论分析的结果,笔者对双跨传热管在静水中的挤压膜阻尼作了实验研究,得出挤压膜阻尼与中间支承板厚度、管子-中间支承板间隙以及管子振幅之间的关系。 相似文献
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NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。 相似文献
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以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜 相似文献
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