SY300电解槽技术的开发与生产实践

本文通过对256台SY300(300kA)电解槽的设计和在河南豫港龙采铝业有限公司200kt/a电解系列的生产实践进行剖析，应用多模式智能控制技术和“四低一高”操作工艺。电解槽运行平糖、高效。三场设计合理．实际测试和设计值吻合。实践证明。SY300电解槽从设计到生产都已达到国际先进水平。     

R102钢低温再热器焊接接头裂纹分析

分析了R102钢低温再热器接头中裂纹特征、裂纹附近金相组织和硬度分布，分析结果表明，接头中裂纹性质为再热裂纹，在高温运行过程中粗晶区有沉淀强化相析出，它们所产生的晶内硬化效果是R102钢产生再热裂纹的重要原因。     

金属－类金属非晶态合金的结构模型

有模拟和计算的方法，确认了构成金属－类金属非晶态合金的菱面体单元结构（ＲＵＳ），并根据三条原则（类金属原子首先位于大八面体中心；除大八面体中心和其棱中心处的类金属原子之间可以存在一个类金属－类金属键外，其它位置处的原子之间不允许存在类金属－类金属键；同一成分，具有多种类金属原于排列方式时，取金属－类金属键最多的情况），找出了各种ＲＵＳ中类金属原子的可能分布位置、所对应的金属－类金属键数和类金属成分。建立了各种分布情况下，每个类金属原子平均所占金属－类金属键数与类金属含量的关系图。结果表明，菱面体单元结构只有８种形式，即（１：１），（２：１）…（８：１）ＲＵＳ，其成分范围（ａｔ％）分别为１５．０９～３０．１９，１２．５０～３０．００，１０．６７～３２．００，９．３０～２９．７７，８．２５～３２．１３，７．４１～３１．０５，６．７２～３０．１７和６．１５～２９．４４。平均键数最大值所对应的类金属含量（ａｔ％）分别为２７．１７，２５．００，２３．１７，２２．３３，２１．４４，２０．７４，２０．１７和１９．６９。     

热处理工艺对Ti-230合金薄板组织和性能的影响

研究了不同退火温度和退火时间对Ti-230钛合金板材显微组织和力学性能的影响。测试了不同退火工艺条件下合金薄板的强度和塑性。用金相显微镜和透射电镜观察了微观组织和析出相粒子Ti2Cu的分布。实验结果表明,随着退火温度从650℃升至790℃(保温30min),合金板材的抗拉强度从541MPa升到580MPa,延伸率从27.5%降到26%。在给定790℃,保温时间分别为5,15,30min条件下退火,其强度和延伸率变化不是十分明显。从OM和TEM对组织的观察得出,随着退火温度的升高,晶粒度明显增大,晶粒等轴化程度增加,析出的Ti2Cu粒子随退火温度的升高和保温时间的延长明显减少。采用790℃,30min退火工艺,其晶粒尺寸,Ti2Cu粒子的分布及Cu在基体中的固溶度可以达到良好的匹配,使合金获得最佳的力学性能。     

X56钢级海底无缝管线管的研制

总结了X56钢级海底无缝管线管产品的国产化研发工作,阐述了微合金化钢种设计的思路和方法,归纳了生产组织及工艺控制要点,介绍了生产工序与流程,提出了进一步改进的观点与建议。     

AZ31镁合金搅拌摩擦焊接头力学性能

成功实现了2．5mn厚AZ31镁合金的搅拌摩擦焊接。焊接参数的选择决定接头的力学性能，通过拉伸和弯曲试验，分析了焊接参数的选择对接头性能的影响。试验结果表明，当焊接速度为75～150mm／min，旋转速度为900～l500r／min之间时，可以得到性能好的接头。为简化焊接参数的选择，同时考虑焊接速度和旋转速度的相互影响。提出一个新的评定参数R/ε，即单位长度上的旋转次数，并分析R/v与接头性能之间的关系。结果表明，iv R/r=8～15时，接头性能良好，可知，当焊接速度和旋转速度的选择在一个比较合理的范围时，R／v可以作为搅拌摩擦焊接参数选择的依据。     

硫酸盐还原菌对A3钢电化学腐蚀行为的影响

采用交流阻抗技术和动电位扫描法测Tafel曲线技术 对A3钢在含不同浓度硫酸盐还原菌介质中且未除氧条件下的电化学特性进行了研究，并采用SEM观察试样表面的腐蚀状况.结果表明：硫酸盐还原茵可以促进A3钢的阴极去极化和阳极极化，Ecorr降低；不同菌液浓度中的A3钢的交流阻抗谱图均呈单容抗弧特征，极化电阻Rp随菌液浓度增大而增大. SRB对腐蚀的影响作用与生成的生物膜的致密程 度有关.     

一种基于密度的不确定数据离群点检测算法

不确定数据普遍存在于如移动计算、RFID技术和传感器网络等大量应用之中.由于不确定数据的离群点检测算法可以提高服务质量,提出一种基于密度的不确定数据离群检测算法RLOF.该算法引入一种R2-tree结构,有效降低了计算局部离群因子时的时间复杂度,同时降低了不确定数据集中的数据更新成本以及海量数据维护成本.理论分析和实验结果充分证明了该算法是有效可行的.     

Single display gamut size metric

To measure the relative gamut sizes of wide‐gamut displays, it is herein proposed that the CIE 1931 xy chromaticity diagram be used rather than the nominally perceptually uniform CIE 1976 u′v′ chromaticity diagram. High correlations were found between the area‐coverage ratios in the xy diagram and the volume‐coverage ratios in the CIE 1976 L^*a^*b^* color space for major standard wide‐gamut color spaces. It is also demonstrated herein that performing planimetry in the uniform u′v′ diagram does not yield accurate relative display gamut sizes, even though the large sizes obtained using the u′v′ diagram are often reported regardless of the fact that its uniformity is valid only when the luminance factor is constant. The single display gamut size metric using the xy diagram will facilitate the unbiased development of wide‐gamut displays.