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62.
Feng Juanni Guo Xuefeng Xu Chunjie Zhang Zhongming 《中国稀土学报(英文版)》2006,24(1):120-120
As-east mierostruetures and their distribution of Mg-Zn-Y ternary alloy with high magnesium, low zinc and yttrium were examined using Nikon Epiphot optical microscopy (OM), RigakuD/max-3C X- ray diffraetion (XRD), and JEOL JSM-6700F scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energydispersive X-ray spectroscopy (EDS). In the as-east mierostructures, Yttrium and zinc tend to segregate at grain boundaries, 相似文献
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A set of poly[N‐oligo(ethylene oxide)yl 4‐vinylpyridinium tosylate] (P4VOEOOTs) has been prepared by spontaneous polymerization of 4‐vinylpyridine. This method gives a grafted polyelectrolyte having a positive charge on every backbone pyridinic moiety. The P4VP15Ts, P4VP164Ts, P4VP350Ts and P4VP750Ts aqueous solution conductivities were determined in the concentration range from 6 × 10?4 to 10?2 M at 25 °C. The variation of the conductivity versus concentration of the investigated system exhibits typical polyelectrolyte behaviour. The polyelectrolyte mobility was found to be dependent on the oligo(ethylene oxide) (OEO) side‐chain length. Manning's rod‐like model fails to describe these results. A simple steric effect is proposed to explain the influence of the OEO length. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
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66.
聚焦平台光束大气传输光束扩展的定标参数分析 总被引:1,自引:0,他引:1
建议采用63.2%环围能量半径及其内平均功率密度描述激光器大气传输光斑扩展特性.通过利用数值模拟及实验观测相结合的方法,对聚焦平台光束大气传输线性效应及湍流热晕相互作用引起的光束扩展进行了大量的数值模拟及部分实验研究,建立了描述聚焦平台光束大气传输光束扩展与大气传输特征物理参量的定标关系,从而为激光工程应用的可行性及系统参量的优化设计提供依据. 相似文献
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68.
Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性 总被引:5,自引:0,他引:5
Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同,它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0.8at%,分凝系数为0.8,与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0.78相当;用称重法测定其密度为5.00g/cm^3;用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12.5W/mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。 相似文献
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分析了长距离管输后3号喷气燃料电导率严重衰减的原因和补加抗静电剂后对3号喷气燃料电导率和水反应指标的影响。对比了成品油长距离管输和喷气燃料馏分长距离管输对3号喷气燃料电导率和水反应指标的影响,并对比了两种管输方式的优缺点,提出对3号喷气燃料的管输建议。3号喷气燃料的长距离管输,优先采用喷气燃料馏分油管输在末端加注抗静电剂的方式;需兼顾汽运时,宜采用成品油管输并在末端根据电导率衰减情况,最小量补加抗静电剂的方式,以获得较高的成功率和较好的经济效益。 相似文献
70.
We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (Tsub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH4 in the gas phase (relative to the total GeH4+SiH4 flow). 相似文献