Preparation and CO gas-sensing behavior of Au-doped SnO2 sensors

A study on the low-temperature CO gas sensors based on Au/SnO₂ thick film was reported. Au/SnO₂ powders, with different Au loading from 0.36 to 3.57 wt%, were prepared by a deposition-precipitation method. Thick films were fabricated from Au/SnO₂ powders. The Au/SnO₂ thick-film sensors exhibited high sensitivity to CO gas at relatively low operating temperature (83-210 °C). We also reported the effect of the Au loading in Au/SnO₂ on the CO gas sensing behavior. The optimal Au loading in as-prepared Au/SnO₂ was 2.86 wt%.     

高分子网络凝胶法制备SnO2/TiO2复合粉及其光催化性能

以TiCl3和SnCl4·5H2O为原料,采用高分子网络凝胶法制备SnO2/TiO2复合粉体.用制备的复合粉体对大红染料的稀释溶液进行脱色检验其光催化性能,并用XRD、TEM对粉体进行表征.结果表明利用高分子网络凝胶法制备的复合光催化剂粒径小、分布均匀可控.一定量的Sn掺杂使复合光催化剂活性明显优于单一的TiO2,n(SnO2)/n(TiO2)=6%时复合催化剂具有最高的催化活性.     

旧料生产锡磷青铜带材急冷破鳞开裂原因及其探讨

阐述了在实际生产过程中，因大量使用镀白旧料生产锡磷青铜带材，在急冷破鳞时易出现开裂现象及其产生的原因。根据其特有的生产工艺及特点提出了相应的解决方法。     

偏铌酸铅的制备及介电性能研究

以分析纯PbO和Nb2O5为原料，采用两种不同的烧成工艺（自然冷却和快速冷却）制备了偏铌酸铅，并对其物相、孔隙率和介电性能进行了研究。结果表明：自然冷却可得到菱方相的偏铌酸铅，而快速冷却得到的是主晶相为斜方相的偏铌酸铅；自然冷却时的优化烧成温度是1240℃，此时得到的菱方偏铌酸铅的孔隙率最小（14．03％），相对介电常数值最大（71．97）；快冷获得的斜方偏铌酸铅的相对介电常数值（均值为216）大约是菱方偏铌酸铅（均值为63）的3．4倍。     

添加青铜粉对烧结316L不锈钢组织和性能的影响

研究了添加青铜粉对316L烧结不锈钢的密度、硬度和微观组织的影响。结果表明：添加青铜粉末提高了316L不锈钢的生坯密度。烧结样品的密度和硬度均随青铜粉体积分数的增大而提高，烧结温度升高也有利于316L烧结不锈钢密度和硬度的增大，最佳烧结温度为1200℃左右。当青铜粉的体积分数为30％、烧结温度为1200℃时，316不锈钢的最大相对密度和硬度分别为95．1％和HRB83。添加青铜粉引起的液相烧结使不锈钢颗粒球形化趋势明显，颗粒表面平直化。     

现代锡磷青铜带材生产工艺与技术

锡磷青铜带是当前应用最广泛的铜合金弹性材料。电子、通讯和汽车行业的高速发展，接插件、连接器用的锡磷青铜带材需用量剧增，质量上要求高精度、高表面、优良的板型和严格的性能值。该文就现代锡磷青铜带材生产的熔炼与铸造、退火、轧制、清洗、矫平、剪切等工艺与技术作一介绍。     

AgSnO2触头材料在直流灯负载下的电侵蚀特点

通过模拟实验机对直流灯负载下汽车继电器用银氧化锡(AgSnO2)系列触头材料进行电性能实验。观察了不同成分、不同工艺的银氧化锡触头材料的电侵蚀情况，总结分析了它们在实验中表现出的电侵蚀特点。指出了影响银氧化锡触头材料电性能的主要因素。     

含Mn中间层钛基二氧化锡电催化电极的性能

采用高温热氧化方法制备了含Mn中间层的钛基二氧化锡电催化电极Ti/Mn/SnO2.采用SEM、EDX以及XPS等检测方法对电极表面涂层的形貌、元素组成及元素化学态进行了分析,研究了所制备Ti/Mn/SnO2电极电催化氧化降解苯酚的性能.结果表明,Mn中间层的引入降低了电极对苯酚的电催化降解活性,使电极的使用稳定性大为提高.含Mn中间层的存在,可防止电化学反应过程中析出的氧向基体的扩散,离子对Mn2 /Mn4 与Sn2 /Sn4 的存在改变了SnO2电极表面催化剂的组成和结构,导致电极性能变化.     

苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法测定析出铅中的锡

用硝酸-酒石酸分解试样,在含有酒石酸(0.16mol/L)的盐酸溶液中,锡(Ⅳ)与苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺(CTMAB)生成有色络合物,采用分光光度法直接测定析出铅中的锡.此络合物在波长530nm处有最大的吸光度,摩尔吸光系数ε=6.74×104,锡(Ⅳ)含量为0.25～80μg/50mL,符合比尔定律.该法快速、准确、重现性好,适应于析出铅中含锡0.005%～1.60%的测定.     

Ultraflat indium tin oxide films prepared by ion beam sputtering

Indium tin oxide (ITO) films with a smooth surface (root-mean-square roughness; R_rms=0.40 nm) were made using a combination of the deposition conditions in the ion beam-sputtering method. Sheet resistance was 13.8 Ω/sq for a 150-nm-thick film grown at 150 °C. Oxygen was fed into the growth chamber during film growth up to 15 nm, after which, the oxygen was turned off throughout the rest of the deposition. The surface of the films became smooth with the addition of ambient oxygen but electrical resistance increased. In films grown at 150 °C with no oxygen present, a rough surface (R_rms=2.1 nm) and low sheet resistance (14.4 Ω/sq) were observed. A flat surface (R_rms=0.5 nm) with high sheet resistance (41 Ω/sq) was obtained in the films grown with ambient oxygen throughout the film growth. Surface morphology and microstructure of the films were determined by the deposition conditions at the beginning of the growth. Therefore, fabrication of ITO films with a smooth surface and high electrical conductivity was possible by combining experimental conditions.