基于AVR单片机的全自动电解质分析仪

电解质分析仪器是测定临床样本中钾离子、钠离子、氯离子、钙离子钙、p H值以及CO2等含量量的的医疗仪器。文中设计了一款以Atmega1280单片机作为主控芯片的新型电解质分析仪,采用一种离子选择性电极法进行离子的测量,完成了硬件设计及软件编写。最后,通过系统调试以及实验测定验证全自动电解质分析仪的性能。结果表明所设计的电解质分析仪符合行业标准,性能稳定,检测精确度高,达到设计要求。     

对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。     

钛基Ce掺杂SnO_2-RuO_2电极的制备及其对焦化废水的电解处理

采用溶胶-凝胶法制备了经稀土元素Ce掺杂改性的Ti/RuO_2-SnO_2-Ce电极,利用SEM、XRD、EDS等分析方法对电极表面的形貌、物相和涂层成分进行了表征,利用CV曲线、LSV曲线等检测手段对电极的电化学性能进行了测试。以Ti/RuO_2-SnO_2-Ce电极为阳极,钛板为阴极,构建电化学氧化反应装置,并采用其对焦化废水进行电解处理。结果表明,Ti/RuO_2-SnO_2电极经稀土Ce改性后极板表面活性位点数量明显增大,金属涂层的结晶化程度明显增强,电极的催化氧化活性显著提高。室温条件下,保持pH值为7.83,在电流密度为30mA/cm~2,电解时间为30min时,焦化废水经电解处理后COD去除率可达91.63%,TOC去除率可达66.22%,UV254值下降到0.921。     

梧桐絮制备多孔纤维碳材料及其在超级电容器中的应用

以法国梧桐絮为原料、KOH为活化剂,通过碳化制备多孔纤维碳材料,并在此基础上组装了超级电容器器件。通过SEM、EDS、XRD、Raman、FTIR、BET等对制备的多孔纤维碳材料进行表征,并研究了多孔纤维碳材料电极的电化学性能。结果表明:在扫描速率为50 mV·s~(-1)时,800℃下碳化制备的梧桐絮多孔纤维碳材料电极的比电容可以达到236 F·g~(-1);所组装电极在循环10 000次后,比电容仍维持原来的99.8%,表明梧桐絮多孔纤维碳材料在超级电容器领域有巨大的应用潜力。     

功能化纳米金属有机骨架材料的合成及其药物传输应用

本文总结了最近与纳米金属有机骨架材料(NMOFs)相关的研究进展,重点是合成策略、功能化修饰和药物传输方面应用。     

叶片封严槽的电火花加工方法研究

采用封严槽的电火花加工方法,设计了一种在电极底座上固定的铜钨合金块。首先采用数控铣削加工的方式将两块铜钨合金块加工成形状、位置分别与叶片大缘板和小缘板上待加工封严槽的形状一致、位置相匹配的两个电极。接着,在电极损耗后,同样采用数控铣削加工的方式重新加工出两块铜钨合金块相应的电极。减小更换电极的频率,避免因频繁更换电极造成电极位置波动而引起的封严槽位置度无法保证的问题。该方法使用两个电极对涡轮导向叶片同一面上的大缘板和小缘板上的封严槽进行同时加工,大幅提高了加工效率;同时,以铜钨合金替代紫铜作为电极材料,铜钨合金的强度更大,使用过程中电极不容易变形,提高了封严槽的加工精度及合格率。     

线切割电极丝垂直度校正装置的设计

分析了线切割线电极在加工前与工作台XY平面垂直度将影响工件加工曲面的精度以及圆形垂直度校正仪在校正电极垂直度时几个方面不足,通过设计辅助校正装置,解决了校正仪二次放置引起的定位误差;通过设计方形与多边棱形垂直度校正仪,消除了圆形校正仪校正电极丝垂直度时XY轴误差的相互影响,提高了零件的加工精度。     

低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制

介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。     

用AFM导电探针在n-Si(111)表面进行纳米加工的机理研究

本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法，重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态，周围大气状况，所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明，针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射，电流热效应增强粒子的扩散能力，提高了电化学反应速度。最后给出了电场诱导阳极氧化扩散增强的加工机理。