压敏电阻对冲击电流回路输出特性影响的仿真

为研究压敏电阻的非线性特性及其性能评估,建立了非线性压敏电阻冲击电流特性的仿真模型,并研究了压敏电阻对不同特征阻抗8/20μs冲击电流回路输出电流波形参数的影响规律。研究结果表明:①压敏电阻的动态电阻r对冲击电流波参数有较大影响,随着r的降低,冲击电流波前时间tf增加,逐渐趋于8μs,冲击电流波半峰值时间tt减小,逐渐趋于20μs,tt与tf之比tt/tf减小,逐渐趋于2.5;②冲击电流回路的特征阻抗Z越小,r对回路输出电流波形参数的影响越大,对压敏电压为471V的压敏电阻负载,当Z为0.35Ω且电流幅值从4A到10kA变化时,tf的变化幅度为4.75μs,tt的变化幅度为19.537μs,tt/tf的变化幅度为9.75;而当Z为1Ω时,tf的变化幅度为2.8μs,tt的变化幅度为3.54μs,tt/tf变化幅度为2.093;③得出了压敏电阻动态电阻和输出满足IEC和国家试验标准要求的8/20μs冲击电流要求的最小电流幅值的关系规律,由此得出在实际应用中,对于电流幅值范围较宽的压敏电阻冲击电流回路,为了提高冲击电流回路输出的效率,应采用分段设计冲击电流回路。     

一种控制系统用电源防雷保护器设计

为优化风电机组控制系统电源防雷设计,对其两级保护电路进行了分析计算,从这一电路的暂态响应指标入手,提出了一种定量化的设计算法。该算法首先采用幂函数表达式来描述压敏电阻的伏安特性,求取保护器电路中除压敏电阻外的剩余多端口线性网络的等值简化参数,得出压敏电阻所满足的非线性方程,并选用修正牛顿迭代法加以求解,然后以这些电压响应为基础,计算出保护器电路其余线性支路的暂态响应。由该算法得出的保护指标计算值能够与实测值较好地吻合,从而使该算法的有效性得到了校验。     

氧化锌压敏电阻多片并联方法及性能分析1

MOV(金属氧化锌压敏电阻)常以多片并联的形式应用于限压型SPD(电涌保护器)中,由于其性能的优劣直接影响器件的整体保护效果,遂对MOV多片并联方法及性能进行分析,通过并联后MOV电气特性的理论与试验分析,得出MOV产生电流偏差IL的主因是由于U_(1mA)和R_d的不一致性。同时基于ATP-EMTP(电磁暂态分析软件),考虑在大电流作用下MOV的响应特性和全电流区的伏安特性,并构建电路模型,利用2 ns上升速率的方波回路和8/20μs脉冲电流发生回路进行实测,仿真MOV在不同片数下的残压与通流特性,得到多片并联后MOV的特性参数变化趋势,得出MOV 5片并联其效果相对最佳。     

一种硅微压阻式压力传感器的研究

研究了一种量程为20kPa的压阻式微压力传感器,同时采用ANSYS仿真得出影响传感器性能的一些规律。应用小挠度理论设计计算了压阻式硅传感器方形弹性膜片结构,并对圆形膜片与方形膜片进行了比较,同时设计了硅芯片以及压敏电阻的尺寸和阻值。通过模型分析和对方型硅膜片的模拟计算,确定了压敏电阻最佳放置位置,来提高灵敏度;并在各个不同的压力下仿真出应力分布图、得出输入—输出关系图及应力峰值。研究为压阻式微压力传感器的结构以及优化、稳健设计提供了一定参考。     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

电源浪涌保护电路的正确运用

介绍了常用浪涌保护器件（如气体放电管、金属氧化物压敏电阻、电压瞬变抑制二极管）的特性和用法。以电源端口的防护为例,列举了几种应用中常见的认识误区和错误用法,并提出使用滤波器作为缓冲级与SPD组合使用实现多级防护的抑制措施。     

ZnO压敏电阻在8/20μs脉冲电流作用下的动态伏安特性分析

测量及分析了ZnO压敏电阻在8/20μs脉冲电流作用下的动态伏安特性。ZnO压敏电阻的动态伏安特性曲线显示,电流上升曲线与电流下降曲线不重合,电流上升过程对应的电压高于电流下降过程对应的电压。分析认为,这种现象与ZnO压敏电阻在脉冲电压作用下的转移特性有关,并应用空穴诱导隧道击穿理论解释了这一现象产生的机制。     

电动自行车KGC充电器电路原理解说(上)

KGC充电器属于半桥式整流蓄电池启动和他励式开关电源。电路如图1所示。该电路主要由市电整流、滤波电路,开关变压器T1、T2、T3,开关管VTl、VT2,PWM脉宽调整IC2(SG3524),充电控制器ICl(LM324)等部分组成。1.市电整流、滤波电路市电交流220V经FU(熔断器)→R1(压敏电阻)→     

高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析

通过高能球磨、丝网印刷和低温烧结制备出高压ZnO厚膜压敏电阻,并对厚膜试样进行了电学性能、物相成分和微观形貌的表征。结果表明:厚膜试样电位梯度达到3 159.4 V/mm,漏电流为36.4μA,非线性系数为13.1,平均晶粒尺寸为1.29μm。高能球磨和低温烧结使厚膜试样的晶粒尺寸大大减小,有效提高了电位梯度值。分析了厚膜压敏电阻单晶界体系的导电机理,发现预击穿区势垒宽度的增加和单晶界电压的提高对其非线性性能以及压敏电压的提升影响明显,决定了压敏电阻的电学特性。