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介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2. 相似文献
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文中以万家寨引黄工程北干线上的预应力钢筒混凝土管道(PCCP)的安装为实例,总结了在明挖沟槽中PCCP的安装技术,主要包括安装前的准备,安装环节和在安装过程中应注意细节以及安装完成后合拢等方面技术. 相似文献
34.
沟槽非光滑表面流场的数值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用有限体积法对三角形仿生非光滑沟槽表面流场进行了数值计算。近壁面区采用B-L两层模型,外区采用雷诺应力模型。分析了沟槽表面的流场特性,对计算域中心Z=3 mm平面的速度场和湍流统计量进行了研究。顶点间距s+≈20,h+≈17.3的沟槽减阻率为5.2%;s+≈40,h+≈34.6的沟槽增阻率为12.3%。从速度场、剪应力及湍流统计三方面对沟槽表面减阻、增阻机理进行了分析讨论。与风洞和油槽实验数据定性对比的结果表明,理论计算与实验结果一致。 相似文献
35.
本文对车床加工圆形工件内深沟槽径向尺寸测量器具进行改进,解决了实际测量中存在测量精度低的问题,减少了测量辅助时间,提高了测量精度和工作效率。 相似文献
36.
沟槽面在湍流减阻中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
对近些年来的沟槽面湍流减阻技术的工业应用方向 ,沟槽的几何形状和尺度、流场压力梯度、沟槽面放置方式对于沟槽减阻效能的影响 ,沟槽面对于湍流边界层流动特性的影响 ,沟槽面的湍流减阻机理几方面研究进展进行了综述。从湍流拟序结构理论出发提出 :具有减阻效应的沟槽面不但能通过控制低速制条带间距来降低湍流“猝发”频率 ,而且在“猝发”后的高速“下扫”过程中因其几何结构使藏在槽内的安静流体避免或部分避免因高速“下扫”而“诱导”出较大速度剪切层 ,从而实现减阻。同时指出需要利用先进的实验技术如PIV等图像处理手段并结合直接数值模拟对湍流边界层的瞬时流场进行研究 ,以其找出湍流边界层的流动结构及其运动规律。 相似文献
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菲涅耳透镜以其良好的成像功能和很高的光学效率,广泛应用于教育投影仪、背投电视等大型成像设备。然而,出射面环形沟槽轨迹的不连续性给菲涅耳透镜的加工带来了诸多困难。为此,本文提出用连续阿基米德螺旋沟槽代替传统的同心环形沟槽,并从光学效率方面对它们进行了比较,计算结果验证了用螺旋沟槽代替同心环带沟槽的可行性,为螺旋沟槽型菲涅耳透镜的设计和制造提供了理论依据。 相似文献
39.
40.
《固体电子学研究与进展》2016,(3)
基于沟槽型超结器件结构,研究了超结MOSFET器件的P型杂质的分布对器件性能包括反向击穿电压和雪崩能量的影响。结果表明,通过P型杂质浓度和杂质浓度分布的优化,可以改善器件击穿电压的一致性,提高器件的雪崩击穿能量并改善其均匀性,从而给出了一种提高器件雪崩能量及改善雪崩能量一致性的方案。 相似文献