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PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明:在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变,从立方相变为六方相,即当氨水浓度为0.31M时,得到立方相的CdS薄膜;而当氨水的浓度大于0.51M时,得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善,且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S,但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响,随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。 相似文献
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晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 总被引:2,自引:0,他引:2
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况,指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。 相似文献
93.
单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
94.
等离子体浸没离子注入和沉积技术制备TiN薄膜研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用多功能等离子体浸没离子注入设备 ,采用等离子体浸没离子注入和沉积技术在Ti合金表面制备具有优异力学性能的TiN薄膜。研究了真空室中氮气存在状态及氮气压力对薄膜性能的影响 :当氮以中性气体存在于真空室中 ,薄膜的生长主要受热力学因素控制 ,沿着低自由能的密排面 (低指数面 )TiN(1 1 1 )择优生长 ;当氮以等离子体状态存在于真空室中 ,薄膜沿着高指数面TiN(2 2 0 )择优生长 ,具有高硬度、耐磨性好的优点 ,并且随着N分压的提高 ,薄膜耐磨性提高 相似文献
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以构造层序、层序地层分析和基准面分析原理为手段,利用高分辨率地震剖面、测井、岩相等资料,重点研究了东营凹陷胜北断裂带深断陷型湖盆层序中的低位体系域砂体沉积特征、发育规律及其石油地质意义.研究表明,沙三期胜北断裂带的活动形成了断裂坡折带,该坡折带控制沙三段层序低位体系域冲积扇、扇三角洲、浊积扇和小型三角洲等砂体的发育及时空展布.断裂坡折带控制的低位体系域砂体位于层序底部、最大湖泛面之下,成藏条件优良,是隐蔽油气藏勘探的主要方向. 相似文献
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层序地层学在碳酸盐岩气藏开发早期地质评价阶段的应用——以川东北罗家寨鲕滩气藏为例 总被引:1,自引:0,他引:1
川东北地区罗家寨飞仙关组鲕滩储集层为碳酸盐岩台地边缘相沉积,具有厚度大、分布稳定的特点。应用层序地层学方法理论,对飞仙关组进行层序划分与对比,划分了5个四级层序10个体系域,建立了该区的沉积模式。作为主力储集类型的台地边缘鲕滩相发育于第1个层序的高位期及第Ⅱ、Ⅲ层序中。罗家寨地区发育两个(期)边缘鲡滩,由东向西推移,西部滩体的形成时间晚于东部。两个滩体经历的成岩过程有所差异,东部滩体经历了5期白云石化和淡水溶蚀作用,西部滩体白云石化及溶蚀作用明显减弱,只可以识别出微弱的白云石化作用,因此东部滩体储集性能优于西部。图4表1参7 相似文献
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测井曲线拐点在测井层序地层分析中的应用研究 总被引:4,自引:3,他引:1
在层序地层学研究中,层序界面的划分是基础和重要的环节,而利用测井资料分析可以进行层序界面划分和进行较长期基准面旋回识别。测井曲线的值是深度的函数,测井曲线的一阶导数表示了曲线变化的趋势和变化的快慢,在某一范围内,当一阶导数呈现符号转换时,相对应的深度点的测井值即为该范围内极大(极小)值;测井曲线的二阶导数则表示曲线的凹凸性,在某一范围内,当二阶导数呈现符号转换时,相对应的深度点代表了测井曲线的拐点,即反映曲线凹凸性变化的转折点,亦即地层的分界面。基于以上特点,提出利用测井曲线拐点进行层序界面划分的原理和方法,并结合岩心和录井资料,对白音查干凹陷达28井腾格尔组不同级次沉积旋回、地层垒积、旋回特征随沉积厚度变化特点和不同级次基准面旋回进行研究,最后得到该地层单井测井层序地层分析结果。 相似文献
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掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法,(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比;硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅,最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。 相似文献
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