独山子石化开发复合流延膜专用树脂系列产品

2008年2月，中国石油独山子石化公司（简称独山子石化）新开发上市的复合流延膜电晕层、芯层专用树脂得到用户认可，成功实现热封层、电晕层、芯层三层复合共挤薄膜专用树脂的系列化开发。     

离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究

综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展.指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等.并指出了该研究领域的研究方向.     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究

讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6～5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。     

化学气相沉积铜薄膜研究进展

本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。     

资讯——Packaging资讯专辑

中国液体产品包装领域多款新品发布，PETsleeve：施利福的新型环保收缩薄膜，博世力土乐包装自动化解决方案首登中国     

未来5年铟原料供应不会出现短缺

近年来，由于FPD（平板显示器）市场增长迅速，曾担心透明导电薄膜用rrO（氧化铟锡）靶材原料——铟供应不足。但由于新的铟生产商的加入及回收利用率的提高，使铟的供应大量增加。此外，还正在开发ITO的替代材料。因此，业内人士预测未来5年铟原料供应不会短缺。     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

首条全自动化的非晶硅生产线扎根国内无锡

香港华基光电能源集团投入巨资成功制造出新一代非晶硅薄膜“华基玻璃电砖”生产设备。该公司与无锡源畅和美国CMI公司签订合作协议，第一条全自动化的非晶硅生产线在无锡诞生。     

我科学家在纳米信息存储材料领域再获突破

我国科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破。在此前工作的基础上成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储。这是目前为止该类分子结构与电导转变的最直接证据，对Rotaxane类分子在分子电子学中的进一步应用具有重要意义。