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湘中海相浅层湘冷1井酸压工艺研究及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
湘冷1井具有气层埋藏浅(400m-500m)、纵向上裂隙发育的特点,属低孔、低渗的含泥质灰岩致密储层。大量室内实验和研究采用“前置液酸压+闭合酸化”工艺技术,并优选了相应降阻酸和闭合酸配方。通过酸压实现了该井工业油气流的突破,取得了明显的增产效果,为新区海相浅层气的开发探索出了一套成熟的改造增产措施。 相似文献
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地震属性解释技术的研究及确定性分析 总被引:12,自引:3,他引:9
随着油气勘探开发的不断发展,储层预测、属性分析等技术得到了广泛的应用,在生产中取得了较好的效果。但地震属性的概念,分类方法,地震属性之间、地震属性与储层参数之间的相互关系仍较模糊,各种地震属性解释方法虽然种类繁多,但缺乏系统的研究,这使得地震属性在应用中存在较大的不确定性。文章通过系统研究地震属性的概念、储层地震响应的基本特征,提出了地震响应的核心是反映地震波在介质传播过程中的能量变化,所有能引起地震能量发生变化的介质的不均质性均可导致地震属性的变化,由此提出了一种新的地震属性分类方法,并认为大部分地震属性只是基本属性在不同域中的不同表现形式。在分析现有地震解释技术的基础上,提出了对地震属性解释的新认识,强调了地震属性对地层岩性油气藏勘探的重要性,对属性间的关系及地震属性解释技术的确定性进行了研究,提出了岩性油气藏地震解释的工作流程及对地震资料采集和处理的要求。 相似文献
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研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。 相似文献
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2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
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针对川西新场气田JS2^1气藏开展了多参数的综合评价研究,多参数包括储层参数、裂缝参数、储层分类厚度参数。首先,开展了储层参数及裂缝参数的计算,以岩心分析结果为依据,建立了孔隙度、渗透率、含水饱和度计算模型。利用铸体薄片进行了微裂缝识别,对样品的裂缝参数和测井曲线进行相关分析,建立了测井计算裂缝参数的数学模型;其次,对储层进行聚类分析,通过聚类将储层分为三类;最后,将计算的裂缝参数、储层分类中的Ⅰ类储层厚度、孔渗饱等参数进行正态化处理,拟和测试的无阻流量与这些参数建立多元回归计算模型,即综合含气指标的数学计算模型。以综合含气指标为主要依据,进行储层综合分类和评价,指出了有利的含气区域和可供挖潜井的建议。该方法在指导气藏开发中获得了良好效果。 相似文献
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