氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．     

过共晶铝硅合金细化初晶硅的研究

研究了ZL8604过共晶铝硅合金初晶硅细化剂和加入方式与加入量以及影响细化效果的冶铸工艺因素,实验结果达到了技术指标要求。     

硅 SIMOX 单模脊形光波导研制

本文描述硅光波导技术的重大突破：（１）用ＳＩＭＯＸ技术代替传统的硅外延型光波导，解决了衬底吸收光波．从而显著改善了光波导的传播损耗．（２）在理论及实验上均已解决用调整脊形的高宽比（高宽均能达１０微米左右），制取单模脊形光波导．这种光波导的下覆盖层是ＳｉＯ２，传播损耗小；断面积大，和单模光纤耦合良好．满足了光集成技术中对光波导的几项重要要求．     

耐热硅椽胶作密封材料效果好

高炉炼铁设备对密封材料的要求是，在较高温度下能耐煤气的腐蚀且具有较好的密封性能，镶嵌硬质合金和迷宫式硬密封形式能满足高炉工作环境，但密封效果不理想，容易医密封不严引起高炉煤气泄漏而冲刷腐蚀设备部件，使设备早期损坏，增加高炉设备检惨休风率，近年来，随着耐热硅橡胶的问世，利用它能在较高温度(350℃)下仍具有较好密封性能的特点。改善炼铁设备密封性能取得了较好效果。     

Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。     

分光光度法联合测定弹簧钢硅钢中硅,铜,镍

不锈钢、普碳钢、铬钢、钨钢、高速钢的系统分析已有报道。而弹簧钢、硅钢中的Si、Cu、Ni分析一般采用二次称样分析。一次为用稀硫酸溶样作Si的分析;一次用硝酸(1+3)溶样作Cu、Ni分析。这无疑给分析者带来不便。迄今为止弹簧钢,硅钢中硅、铜、镍联合测定未见报道。其主要原因由于分析Si时,溶样需加入高锰酸钾氧化而引入大量的锰离子,干扰后来的Cu、Ni测定。为了寻找一种既能满足Si分析溶样要求,又对以后的Cu、Ni测定无影响的溶样途径,从而消除锰离子对测定结果的干扰,本文选择了对分析结果有影响的溶样三因素进行了正交试验,选定了最佳溶样条件,确定了Si、Cu、Ni联合测定的方法。实验证明,本法操作简便,分析结果满意。     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．