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介绍I^2C串行总线原理及AT24CXX系列串行EEPROM的特点。着重阐述了利用I^2C串行总线和AT24CXX系列串行EEPROM实现数据存储的技术,并给出了该技术在MCS51系列单片机系统中的实现方法。 相似文献
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In this work, the silicon oxynitride layer was studied as a tunneling layer for non-volatile memory application by fabricating low temperature polysilicon thin film transistors on glass. Silicon wafers were oxynitrided by only nitrous oxide plasma under different radio frequency powers and plasma treatment times. Plasma oxynitridation was performed in RF plasma using inductively coupled plasma chemical vapor deposition. The X-ray energy dispersive spectroscopy was employed to analyze the atomic concentration ratio of nitrogen/oxygen in oxynitride layer. The oxynitrided layer formed under radio frequency power of 150 W and substrate temperature of 623 K was found to contain the atomic concentration ratio of nitrogen/oxygen as high as 1.57. The advantage of high nitrogen concentration in silicon oxide layer formed by using nitrous oxide plasma was investigated by capacitance-voltage measurement. The analysis of capacitance-voltage characteristics demonstrated that the ultra-thin oxynitride layers of 2 nm thickness formed by only nitrous oxide plasma have good properties as tunneling layer for non-volatile memory device. 相似文献
33.
基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm2,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。 相似文献
34.
介绍可编程看门狗监控 EEPROM芯片 X2 50 4 5的特性及其与单片机的连接。89C51根据 X2 50 4 5的数据传输格式及时序 ,规定用软件编程实现读写操作 ,简介了该技术在 1 80 0 V直流工矿电力机车车载电源中的应用 相似文献
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介绍了三线制Microware串行总线及相关的EEPROM,给出了该类具有三线制Microware总线的EEPROM与AT89C51的连续方式和软件模拟,同时给出了采用C51编写的模拟三线制Microware串行总线的操作源程序。 相似文献
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40.
针对金卡工程中EEPROM单元的可靠性问题,本文给出了可以对其编程窗口进行测试和分析的测试系统的软、硬件描述。根据对测试结果的分析与讨论,得到了最佳的单元尺寸和编程条件。 相似文献