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21.
本文简要评逆相控阵用收发(T/R)组件的特点及发展概况,介绍了几种收发组件的电路,即混合微波集成电路(HMIC)、微型混合微波集成电路(MHMIC)以及单片微波集成电路(MMIC),并讨论了收发组件的制造工艺、电路组成、封装测试和成品价格。 相似文献
22.
适应2Mbit/s PCM信号的微波锁相调频遥测发射机是21世纪再入遥测系统中的重要设备。文中介绍了该调频遥测发射机研制中使用的关键技术:准两点注入式调频技术,以及相关电路设计和实验结果。理论分析和实践表明,准两点注入式微波锁相调频遥测发射机具有平坦的宽带调制特性,能满足高码速率再入遥测发射设备的实际要求。 相似文献
23.
为使高频高速大功率收发(T/R)组件在复杂电磁环境下可靠稳定工作,本文对组件的开关控制、组件电源与地、组件布局与屏蔽等进行分析,提出了注意要点,并给出了设计方法。在T/R组件开关控制设计中,通过一对延迟与共轭延迟电路保证收发时间长于驱动开关时间,解决共模干扰问题;通过脉宽检测及最高切换速度约束,解决差模干扰问题;在组件电源与地的分析中,着重强调了接地间距不超过信号波长的1/20。在布局与屏蔽的设计中,着重分析了腔体谐振波长。文中给出了实例模块,并就上述3点设计要点进行了对照分析,达到在复杂电磁环境下T/R组件稳定可靠工作的目的。 相似文献
24.
25.
本文描述了一个高线性,高输出功率的直接变频发射机。该发射机针对宽频码分多工存取标准设计,在0.13微米CMOS工艺下实现。本系统最大输出功率为6.8dBm,消耗的电流为38mA。在最大输出功率下,邻道功率泄漏(ACLR)和载波泄漏分别为-44dBc@5MHz和-37dBc,相应的误差矢量振幅(EVM)为3.6%。整个系统可以以6dB为步长实现66dB的增益控制范围,通过电阻阵列的微调功能,增益控制精度可以达到0.1dB以内。系统的镜像抑制比可以在整个输出范围内保持在-47dBc以下。 相似文献
26.
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种用于10位200 MHz高速流水线模数转换器的CMOS LVDS收发电路。该收发电路由发射器(TX)和接收器(RX)组成。发射器通过带共模反馈的闭环控制电路,将0~3.3 V的CMOS信号转换成(1.2±0.35)V的LVDS信号。接收器采用一个轨至轨预运算放大器保证LVDS信号的完整接收,并实现一定的增益,之后由迟滞比较器和输出缓冲器实现对共模噪声的抑制以及信号驱动能力的提高,最终正确恢复出CMOS信号。仿真结果表明,在400 MHz脉冲输入下,收发器可以稳定工作在3.3 V电源电压,总功耗仅为22.4 mW。 相似文献
27.
讨论了由4个InP/InGaAs HBT构成的OEIC光发射机驱动电路的设计。研究结果表明.由最佳性能的HBT构成的驱动电路,其性能不一定就是最佳的,驱动电路的性能与激光器的串联电阻有很大关系。本文对激光器的串联电阻为9Ω的情况,从几何参数优化设计一驱动电路,其调制带宽可达3.4GHz,脉码凋制时。开关时间约为100ps。用它驱动一多量子阱激光器,脉码调制时,光信号响应开头时间约为288ps。 相似文献
28.
介绍了一种用于802.11b无线局域网的高线性度射频前端发送器的设计与实现。该发送器采用直接转换结构,从而最大程度地减小了所需的片外和片上元件。电路采用0.18μmCMOS工艺实现。发送器包括两个低通滤波器、一个单边带混频器、一个功率预放大器和一个产生正交本振信号的除2分频器。发送器能够以3 dB一级提供12 dB的增益控制,输出1 dB压缩点为7.7 dBm,正常输出功率为2 dBm。整个发送器工作时消耗电流40 mA,工作电压1.8 V,芯片面积(不包括焊盘)为1.8 mm×1.5 mm。 相似文献
29.
本文介绍一种高性能硅橡胶按键的制造方法和质量控制参数,详细叙述绝缘胶料和导电胶料的配方及性能,研制的硅橡胶按键经32万次寿命试验,产品仍然完好;标准接触电阻小于100Ω;绝缘电阻值大于1×10^16Ω-cm;手感优异,反弹性良好,符合硅橡胶按键的要求。 相似文献
30.