ㄇ形梁剪力滞效应的解析解

精确分析ㄇ形梁在纵横向荷载共同作用下,其横断面上正应力分布规律对于计算其有效宽度有重要意义,应用力法原理,先将ㄇ形梁和翼板截开成矩形截面梁和平面应力板,在截面上代之以赘余的分布剪力,对于平面应力板,通过利用板变形的对称性来简化其边界条件,然后假设一个满足板的控制方程的Airy应力函数求得板的应力和位移,再利用Timoshenko梁理论求得梁的挠度和转角,根据截面上梁与板的纵向位移相等的变形协调条件便可最终确定截面上的分布剪力,给出的数值算例验证了方法的有效性,并与铜陵长江公路大桥主梁的模型有限元结果和试验结果作了对比,解析解法还可用来检验其他各种数值计算方法的精度,并可推广到其他多跨薄壁结构梁桥的膜应力分析中。     

Analysis and simulations of vibrations of a beam with a slider

A model for vibrations of a beam with a slider is derived, analysed and numerically simulated. It describes a viscoelastic beam that is clamped at one end to a vibrating device, while the other end moves between two stops attached to a slider. The contact is described by the normal compliance or by the Signorini conditions. The existence of weak solutions is established using the theory of set-valued pseudomonotone operators. The model is discretized using fourth-order spatial discretization, the solutions are numerically simulated and their results presented. The dynamics of the vibrations are depicted and so are the noise characteristics of the system.     

游梁式抽油机二次平衡分析

为解决游梁式抽油机能耗大、效率低的问题，设计了二次平衡装置。这种装置通过是挂在抽油机后端的平衡重的平衡作用，降低一次平衡曲柄轴净扭矩的两个峰值，达到减少能耗提高效率的目的。对抽油机的二次平衡作了较详尽的理论分析，给出了实行二次平衡后曲柄轴净扭矩的计算公式和安装二次平衡装置前后曲柄轴净扭矩曲线图。在大庆油田两口井上进行的现场试验结果表明，安装二次平衡装置后，两口井年节约电费分别为0.25万元和1．17万元，经济效益明显。     

MPID─TOF质谱的快速时间分辨微弱信号测试系统

把瞬态记录仪Ｂｉｏｍａｔｉｏｎ８ｌ００与微型计算机ＩＢＭ─ｐＣ／ＸＴ联接建成了一个高速数据采集系统，本文介绍了系统的硬件接口设计及软件设计。在超声分子束条件下，把它应用于环氧乙烷（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）的多光子电离与离解飞行时间（ＭＰＩＤ─ＴＯＦ）质谱的实验研究中，并给出了实验结果；本系统在微观基元化学反应动力学实验研究中广泛适用于对时间分辨微弱信号的探测。     

荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。     

定向棱镜腔平顶高斯激光束特性的研究

在XeCl准分子激光器中,采用定向棱镜作为端反射镜与平面输出镜构成激光器谐振腔,获得了近场能量分布均匀、远场能量分布高度集中的相干平顶高斯激光束输出,并具有腔镜高抗失调能力,改善了激光束质量。     

法国产CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造

试述法国TECHMETA公司产的CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造，其中主要阐述电子枪控制电路板的原理。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。