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141.
分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程. 相似文献
142.
中英班"电路"双语教学初探 总被引:1,自引:0,他引:1
幸玲玲 《电气电子教学学报》2006,28(6):105-108
在对中英班电路课程实施双语教学的基础上,探讨了电路课程双语教学的摹本原则。首先应明确课程目标和了解学生特点,应该选择优秀原版教材并深入研究其教学思想和教学方法。在教学实施过程中,采用灵活多样的教学方案,不仅创造学英语,用英语的教学氛围,也将先进的教育思想和学习方法传授给学生。对学生反馈信息的分析表明,电路课程的双语教学取得了较好的效果。最后指出了存在的问题及进一步努力的方向。 相似文献
143.
杜天苍 《光纤与电缆及其应用技术》2006,(3):28-31
针对OPGW雷击断股问题,指出了雷电形成电弧时产生的高温是OPGW雷击断股的主要原因,对不同状况下OPGW雷击断股的主要因素进行了剖析,同时制定出相应的预防措施.对广东省500 kV江茂乙线OPGW雷击情况进行具体分析,认为原材料缺陷、加工工艺缺陷、接地方式、雷击形成的电弧损害和光缆抗雷击能力不足等都能引起OPGW断股,指出了提高OPGW抗雷击能力需解决的关键问题. 相似文献
144.
Thermal barrier coatings (TBC) are widely used to prevent transient high temperature attack and allow components high durability. Due to strong inhomogeneous material properties the TBC failure often initiates near the interface between the brittle oxide layer and the ductile substrate. A reliable prediction of the TBC failure requires detailed information about the crack tip field and the consequent fracture criteria. In the present paper both cohesive model and gradient plasticity are used to simulate the failure process and to study interdependence of the interface stress distribution with the specific fracture energies. Computations confirm that combination of the two models is able to simulate different failure mechanisms in the TBC system. The computational model has the potential to give a realistic prediction of the crack propagation process. 相似文献
145.
一种新型的多功能照相胶片影像质量评价方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本设计了一种新型的多功能照相胶片感光性能和影像质量评价方法。这种方法的主要特点的快速、方便并有满足 实用要求的精确度。该方法仅使用一个测试标板,就可以很容易地测定出照相胶片的感光性能、分辨率、均方根粒度和密度振幅响应(DAR)值等多种表征影像质量的参数。本简要介绍该方法并给出试验结果及其与传统测试方法的比较和讨论意见。 相似文献
146.
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150.
P. G. Muzykov Y. I. Khlebnikov S. V. Regula Y. Gao T. S. Sudarshan 《Journal of Electronic Materials》2003,32(6):505-510
To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement
techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable
graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique,
and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values
of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable
graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe
method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer
was also obtained and reported in this work. 相似文献