荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。     

Freelance 2000 DCS在轴流机上的应用

简要介绍了Freelance 2000 DCS的功能特点以及轴流机的控制要求.结合轴流机的控制特点，用Freelance 2000 DCS对原模拟电子系统进行改造，实现并改进了轴流机流量－静叶位置调节、防喘振控制、逻辑控制、状态监测、信息管理等功能。改造后的系统可靠性高、技术先进、信息管理功能强，其设计思想和方法均可供石化企业大型压缩机控制系统的设计和改造借鉴。     

定向棱镜腔平顶高斯激光束特性的研究

在XeCl准分子激光器中,采用定向棱镜作为端反射镜与平面输出镜构成激光器谐振腔,获得了近场能量分布均匀、远场能量分布高度集中的相干平顶高斯激光束输出,并具有腔镜高抗失调能力,改善了激光束质量。     

法国产CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造

试述法国TECHMETA公司产的CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造，其中主要阐述电子枪控制电路板的原理。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。     

步进式加热炉钢坯跑偏测试

钢坯在炉内的横向跑偏和纵向跑偏位移量,是步进式加热炉设备的重要性能之一.重点介绍了鞍钢1780热连轧生产线步进式加热炉钢坯跑偏测试的应用技术.     

8Li次级束的产生

在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。