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研究了新型水性铝粉涂料的应用性能。将低成本的石油树脂和改性长油度醇酸树脂拼用,并用脂肪族聚氧乙烯醚类乳化剂对拼用后的树脂进行充分乳化,提高了涂料的施工性和贮存稳定性。选用经硅烷偶联剂/Al2O3改性的铝粉颜料,使铝粉的分散性、防腐性和装饰性进一步提高。采用去离子水代替部分有机溶剂,降低涂料的VOC(挥发性有机化合物)含量。 相似文献
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硅烷是一种性能优异的渗透型浸渍剂,赋予混凝土表面憎水性,并保持呼吸透气功能。表面憎水性使混凝凝土吸水率极低,氯离子吸收效率降低90%以上,有效抑制海水的侵蚀,减缓因钢筋锈蚀和冻融循环对混凝土的破坏,保持混凝土的耐久性。 相似文献
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以钛酸四正丁酯、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷为原料,乙酰丙酮(acac)为螯合剂、盐酸为催化剂、乙醇为溶剂,利用溶胶-凝胶法、控制n(Ti)∶n(Si)=0.1~0.5,50℃水解温度下制备了含钛硅树脂,钛的引入使得杂化硅树脂在不使用催化剂和室温固化剂的情况下,140℃3d实现固化。通过涂层外观分析、光学显微镜、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱、傅里叶变换红外光谱、变温傅里叶变换红外光谱、热重进行了表征。结果表明成功合成了含Si—O—Ti共价键的杂化硅树脂;当n(acac)/n(Ti)=0.3时,含钛硅树脂预聚物的储存稳定性较好;R/(Si+Ti)≥1.36时,能制备表面光滑的硅树脂;含钛杂化硅树脂具有较好的耐热性且其热性能随钛含量的增大而提高。 相似文献
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混凝土表面硅烷防水膜的电化学噪声谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电化学噪声法研究硅烷对混凝土的防水性影响,通过统计学和傅立叶变换,对硅烷防护的混凝土试样噪声数据进行分析.结果表明,在3.5%NaCl溶液中,硅烷防护的混凝土试样电位噪声0.825 mV、电流噪声漂移值0.046 μA、噪声电阻1800.8 Ω.cm2;无硅烷防护混凝土试样电位噪声0.5 mV、电流噪声漂移值3.4... 相似文献
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N.A. BakrA.M. Funde V.S. WamanM.M. Kamble R.R. HawaldarD.P. Amalnerkar V.G. SatheS.W. Gosavi S.R. Jadkar 《Thin solid films》2011,519(11):3501-3508
Structural, optical and electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) films, deposited from silane (SiH4) and argon (Ar) gas mixture without hydrogen by hot wire chemical vapor deposition (HW-CVD) method were investigated. Film properties are carefully and systematically studied as a function of argon dilution of silane (RAr). We observed that the deposition rate is much higher (4-23 Å/s) compared to conventional plasma enhanced chemical vapor deposited nc-Si:H films using Ar dilution of silane (0.5-0.83 Å/s). Characterization of these films with Raman spectroscopy revealed that Ar dilution of silane in HW-CVD endorses the growth of crystallinity and structural order in the nc-Si:H films. The Fourier transform infrared spectroscopic analysis showed that with increasing Ar dilution, the hydrogen bonding in the films shifts from di-hydrogen (Si-H2) and (Si-H2)n complexes to mono-hydrogen (Si-H) bounded species. The hydrogen content in the films increases with increasing Ar dilution and was found to be < 4 at.% over the entire range of Ar dilutions of silane studied. However, the band gap shows decreasing trend with increase in Ar dilution of silane and it has been attributed to the decrease in the percentage of the amorphous phase in the film. The microstructure parameter was found to be > 0.4 for the films deposited at low Ar dilution of silane and ~ 0.1 or even less for the films deposited at higher Ar dilution, suggesting that there is an enhancement of structural order and homogeneity in the film. From the present study it has been concluded that the Ar dilution of silane is a key process parameter to induce the crystallinity and to improve the structural ordering in the nc-Si:H films deposited by the HW-CVD method. 相似文献
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