专利技术

专利名称：光缆传输信号的多颇率声学探头组合检测方法及井下仪器；专利名称：便携式全烃钻时录井仪。[编者按]     

掺气减蚀保护作用的新概念

利用针式掺气流速仪测量原型和模型掺气浓度场、流速场，气泡尺寸及其概率分布的研究成果表明，原型水流韦伯数高，形成微小气泡的能力比模型强，气泡上浮慢，接近底部的小尺寸气泡概率及掺气浓度比模型大。初步研究认为：0.2mm或0.5mm以下的微小气泡在掺气减蚀中起着主要作用，可能只要很小掺气浓度即可达到掺气减蚀的效果。因此以小尺寸气泡的掺气浓度，作为判断掺气减蚀保护作用的指标将更为准确。     

材料织构的中子衍射测量

概述了中子衍射测量材料织构的进展和国际国内现状,以及对未来发展的展望.     

无线监测示功仪的研制与应用

针对常规示功仪资料储存的容量有限和对油井不能长时间连续监测的不足,研制了无线监测示功仪。该示功仪将载荷和位移传感器、无线传输以及太阳能供电等多种技术集于一体(1)采用加速度传感器,实现了光杆无线位移检测,解决了常规位移传感器寿命短、可靠性差的问题;(2)应用CC1000无线模块,实现了油井示功图短距离数据无线交换,屏弃了常规仪器电缆通讯的方式;(3)通过增加仪器储存容量和移植USB接口,解决了常规示功仪储存数据量少的问题,极大地方便了数据交换;(4)将太阳能电池与充电电池有机结合,圆满解决了仪器供电问题。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

微机控制可控硅电炉温控仪

本文介绍一种用于可控硅电炉的微机温控仪，可用于恒流控制或恒压控制方式，可控硅采用过零检测触发方式，该仪配有４位温度数字显示及微型打印机。     

心电地图仪中工频干扰的一种滤除方法

在心电地图仪中记录到的体表心电信号往往由于电磁的影响而引进工频干扰．基于体表心电信号中工频干扰的特点，作者提出了一种滤除工频干扰的方法，即就单独—胸导联信号通过提高频谱的分辨率来估计工频干扰的频率；基于最小均方误差准则来估计各导联信号中工频干扰的幅度和相位。文中还给出了该算法的流程图和滤波性能分析。模拟结果表明了该算法的有效性。应用该算法对心电地图仪中的工频干扰进行对消，取得了满意的结果。