高效率平面磁控溅射器的研制

介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法，通过扩大靶表面的等离子放电区域面积，使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W／cm~2时溅射速率约为800nm／min，如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64％左右。另外，在认为出射粒子符合cos~nθ分布的前提下，发现当n＝3．3时，实验数据和理论数据符合得较好。     

热镀钢丝膜层的冷凝计算

分析了热镀钢丝自液池引出过程中的热传导，得出了温度分布的解析解，从而计算钢丝表面膜层达到凝固温度时的提抽高度，为结构设计及确定冷却装置的合理位置提供依据。     

CFRP强度复合Weibull分布的物理特征分析

本文对ＣＦＲＰ材料疲劳后剩余强度的复合Ｗｅｉｂｕｌｌ分布的物理特征进行了初步分析。指出树脂基复合材料失效（破坏）机理的双重性（基体和纤维失效模型）决定了剩余强度（累积损伤程度）测试结果的分布特征。复合Ｗｅｉｂｕｌｌ分布曲线的特征与分析结果对设计、使用及材料研究都有重要参考意义。     

正交双频光栅CCD系统剪切干涉测量二维温度场

以半导体激光器为光源，利用正交双频光栅（ＯＤＦＧ）ＣＣＤ系统剪切干涉对带平板边界的半圆柱体热源的二维温度场进行实时诊断，分析剪切干涉图时，用柱函数系作为拟合基底，给出二维自然对流温度场的定量分布。     

判断油气藏非均质性的新方法

非均质性是油气藏的基本特性,也是影响油气面采收率的重要因素.它是反映油气藏的渗透率、孔隙度、有效厚度及其连通性的综合特征参数.不同油气藏在投入开发后,其产量随时间变化的分布曲线与油气藏自身的非质均性有密切关系.利用伽马分布描述油气藏产量随时间的变化,研制了典型曲线的理论图版,通过拟会求解,可判断油气藏的非均质程度.     

新型无灰分散剂的结构分析研究

通过薄膜渗析、红外光谱、凝胶渗透色谱、皂化反应等一系列手段建立了一套对无灰分散剂的系统分析方法，并利用该方法得到了一种新型无灰分散剂及其衍生物的平均结构、相对分子质量分布、分散度等重要结构信息，得出该新型无灰分散剂的结构与传统无灰分散剂的结构不同。     

单分散六边形扁平溴碘化银微晶的结构与性能的研究

应用可控双注仪制备了一系列碘含量相同而碘在微晶中分布不同的单分散六边形扁平溴碘化银乳剂。用扫描电镜（ＳＴＥＭ）与Ｘ－射线能谱仪（ＥＤＳ）对单个微晶进行了微区分析，并用介电损耗，微波光导等方法研究了此类乳剂微晶的结构与性能的关系。结果表明：严格控制微晶成核、成熟、生长三个阶段的条件，可制得含六边形颗粒９２％以上的扁平溴碘化银乳剂，颗粒大小变化系数小于１２％。此外碘在微晶中的分布明显影响微晶的电性质和     

概率空间中的一个不等式

设｛Ｚ，（Ｗ）｝是定义在概率空间上的独立的随机变量序列，Ｚ（Ｗ）具有方差为期望Ｅ（Ｚｎ）＝０．本文证明了对任意算数序列｛ｂｎ｝及任意的存在充分大的整数Ｎ＞０使当Ｎ＇＞Ｎ″＞Ｎ时．有此不等式在随机级数研究中有重要作用．     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

划分IC缺陷团的聚类算法

大量实验表明了在集成电路（IC）制造过程中形成中的缺陷团之间具有很强的相关性，然而现用于划分缺陷团的方法均忽略了缺陷之间的相关性。因此，得到了缺陷分布规律不能有效地反映缺陷在圆片上的分布，为了提高IC成品率和可靠性仿真和设计的精度，提高缺陷分布模型的准确性，该文提出了划分缺陷团的聚类算法，该方法依据缺陷形成的动力学基础，充分考虑了缺陷团之间的相关性，实验证明该算法用于划分IC的缺陷团是十分有效的。