有植被的河道水流紊动特性模型试验研究

通过物理模型试验,研究了有植被的河道水流紊动特性.试验结果表明,在复式断面河道滩地种植柔性植被后,滩地糙率增大,水流紊动更为剧烈,河道水流紊动强度峰值由原先的滩槽交界区转移到滩地区.滩地的水流紊动强度沿程递减;滩槽交界区的水流紊动强度沿程不断增大;主槽的水流紊动强度主要与床面糙率有关,滩地植被影响了滩地水流的归槽时间,使主槽水流流速沿程增大.     

丙烯酸/α-甲基丙烯酸/丙烯酰胺共聚物智能水凝胶的合成及评价

由丙烯酸（AA）、α-甲基丙烯酸（MAA）和丙烯酰胺（AM）合成了具有很好DH敏感性和一定温度敏感性的智能水凝胶，考察了合成温度、丙烯酰胺、交联剂和引发剂用量对制备的水凝胶溶胀性能的影响。结果表明，在60℃下，单体从和MAA用量分别为100mmol和75mmol时，单体AM、交联剂和引发剂用量分别为反应物总质量的32．8％、0．2％和0．4％时，制备的水凝胶溶胀性能最好。考察了介质的离子浓度、pH值和温度对水凝胶溶胀比的影响，结果表明，离子浓度越大，水凝胶的溶胀比越小；水凝胶具有一定的DH可逆性。     

济阳坳陷新近系层序地层及沉积体系

对济阳坳陷新近系层序类型、体系域类型等研究表明，冲积—河流相地层的体系域划分具有四分性特征。印主要发育低位体系域、扩张体系域和高位体系域，当基准面缓慢下降时，还可发育收缩体系域。冲积—河流环境下．准层序组边界主要依据较大规模河流底冲刷及厚层粗碎屑沉积、相对稳定的泥岩及古土壤、岩性组合及其测井响应等识别；有时，准层序组的边界与层序边界相一致，据此可将新近系分为10个准层序组。济阳坳陷新近系的沉积相类型及其演化研究表明，济阳坳陷新近纪由早至晚经历了冲积扇—辫状河沉积体系、辫状河—低弯度曲流河过渡体系和高弯度曲流河—泛滥平原沉积体系3个阶段，主要相类型有冲积扇相、辫状河及曲流河。     

三重介质油藏干扰试井压力动态特征

在建立三重介质油藏试井解释模型的基础上，对该类油藏的干扰试井压力动态变化进行了研究；分析了井筒储存、表皮系数、窜流系数以及弹性储容比对观测井井底压力的影响。结果表明，表皮系数对观测井的井底压力没有影响，而井筒储存是否会对观测井井底压力造成影响取决于井筒储存系数的大小以及激动井和观测井之间的距离，窜流系数和弹性储容比对观测井井底压力的影响与单井试井的结果相类似。     

对CFG桩质量缺陷的探讨

根据具体工程的概况及水文地质条件，分析了CFG桩在地下水位出现大面积缩颈现象和复合地基载荷试验达不到设计要求的原因，并介绍了地基补强措施，以满足工程质量的要求。     

分组空时块码系统中的排序最大信噪比检测算法

提出并比较了应用于分组空时块码（G—STBC）系统中两种不同信道模型的排序最大信噪比（MaxSNR）检测算法。该系统在发端对发射天线分组，每组进行独立的空时块码编码；在收端应用排序最大信噪比算法进行检测。由于空时块码提供了额外的时域约束，所以可以利用这个约束对信道模型进行变换，得到一个等效信道模型，然后再使用排序MaxSNR检测；当然也可以直接利用原有的信道模型，即非等效信道模型进行检测。仿真结果表明：当接收天线数不少于发射天线数的一半时，采用等效信道模型下的排序MaxSNR算法，系统的误码曲线就能保持陡降性；并且在收发天线数相同时，其性能总是优于非等效信道模型。     

沙漠地区高精度地震资料处理技术

受静校正及各种类型干扰的影响,西部沙漠地区地震资料的高精度处理较东部地区有更大的难度。对准噶尔盆地中部Ⅱ区、Ⅲ区、Ⅳ区、顺托果勒等区块地震资料在振幅恢复、静校正、去除各类噪音、高精度速度分析及叠前、叠后子波处理等方面进行了大量的试验与研究,形成了较为系统的高精度地震资料处理技术,在西部不同区块地震资料处理中取得了较好的应用效果。     

全光网中的光信噪比估算与系统设计

指出了WDM光传送网中 ,级联光上下路节点或光交叉连接节点后 ,系统构成上与传统级联线路放大器情况下的差异以及常用光信噪比评估公式的近似性。对WDM光传送网中线路给出了一个等效模型 ,并详细推导了光信噪比的计算公式 ,同时计入了光放大器的自发辐射噪声引起的饱和效应。最后针对不同系统配置情况进行了光信噪比的估算 ,分析了估算结果及其对线路设计的指导意义     

弯曲性分叉河道中污染物扩散性的初步研究

弯曲性分叉河道中水流特征复杂,对污染物扩散有很大影响。为了定量分析其水流特征对污染物扩散的影响,采用有限元方法求解弯曲性分叉河道中的污染物扩散数学模型,研究其中污染物扩散的状况。主要针对河道回流、绕流对污染物扩散的影响进行了详细数值模拟计算,并分别给出了可视化结果及平均的扩散距离。计算结果表明:边界层稍微减弱污染物的扩散,弯道分离使污染物扩散呈现多向扩散,而回流和绕流尾迹区使污染物很难扩散,从而有利于泄漏污染物的收集和集中治理。     

Improving narrow bandgap a-SiGe:H alloys grown by hot-wire chemical vapor deposition

We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (T_sub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH₄ in the gas phase (relative to the total GeH₄+SiH₄ flow).