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991.
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化 相似文献
992.
993.
LaurieWallace 《世界电信》2002,15(3):51-53
为了构筑第三代无线网络,人们需要对现有基础设施进行彻底改造,包括网络的发射基站。配置在无线基站中的新型数字控制功率放大器能够改善频谱利用率和功率效率,从而提高系统容量。PMC-Sierra公司的数字控制功率放大器采用了数字校正信号处理器(DCSP)以及自适应控制处理器和补偿估值器(ACPCE),该放大器可改善无线基础设施的可靠性,同时降低系统成本、规模及复杂性。 相似文献
994.
P. Ravirajan S.A. Haque J.R. Durrant D.D.C. Bradley J. Nelson 《Advanced functional materials》2005,15(4):609-618
We report a study of the effects of polymer optoelectronic properties on the performance of photovoltaic devices consisting of nanocrystalline TiO2 and a conjugated polymer. Three different poly(2‐methoxy‐5‐(2′‐ethylhexoxy)‐1,4‐phenylenevinylene) (MEH‐PPV)‐based polymers and a fluorene–bithiophene copolymer are compared. We use photoluminescence quenching, time‐of‐flight mobility measurements, and optical spectroscopy to characterize the exciton‐transport, charge‐transport, and light‐harvesting properties, respectively, of the polymers, and correlate these material properties with photovoltaic‐device performance. We find that photocurrent is primarily limited by the photogeneration rate and by the quality of the interfaces, rather than by hole transport in the polymer. We have also studied the photovoltaic performance of these TiO2/polymer devices as a function of the fabrication route and device design. Including a dip‐coating step before spin‐coating the polymer leads to excellent polymer penetration into highly structured TiO2 networks, as was confirmed through transient optical measurements of the photoinduced charge‐transfer yield and recombination kinetics. Device performance is further improved for all material combinations studied, by introducing a layer of poly(ethylene dioxythiophene) (PEDOT) doped with poly(styrene sulfonic acid) (PSS) under the top contact. Optimized devices incorporating the additional dip‐coated and PEDOT:PSS layers produced a short‐circuit current density of about 1 mA cm–2, a fill factor of 0.50, and an open‐circuit voltage of 0.86 V under simulated AM 1.5 illumination (100 mW cm–2, 1 sun). The corresponding power conversion efficiency under 1 sun was ≥ 0.4 %. 相似文献
995.
Cis-1,4-polybutadiene (PB) in a 0.5% solution of a solvent mixture of dichloromethane and 1,2-dibromoethane or tetrahydrofuran was quantitatively brominated with elemental bromine at 0°C under careful exclusion of oxygen to head-to-head poly(vinyl bromide). Partially brominated PB has a structure of random or block sequences of butadiene units in the polymer depending on the bromination solvent but shows no stereospecificity in the CHBrCHBr-dyads. Partially brominated PB with block structure showed a microphase-separated morphology over a wide range of composition. Microphase separation is less pronounced for the more random structure of butadiene units. I.r and 13C n.m.r. spectroscopy of the partially brominated PB was used to follow the progress of the bromination. 相似文献
996.
Melting and crystallization behaviour of elastoplastic semicrystalline copolymers: poly(ether ester)
The melting and crystallization behaviour of an elastoplastic semi-crystalline poly(etherester) has been studied by differential scanning calorimetry. The shape of the melting endotherm is strongly dependent on heating rate and annealing time and results from the sum of simultaneous melting and crystallization phenomena. Samples prepared by different techniques, i.e. by solvent evaporation or by melt extrusion, behave very differently owing to specific crystal morphologies. By applying the Hoffman-Weeks plot, the equilibrium melting temperature has been extrapolated. The Avrami treatment allows the calculation of the index n and of the rate constant K from the isothermal kinetic data. 相似文献
997.
998.
修正步冷温度曲线试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
按修正步冷温度曲线对经步冷脆化的 2 .2 5Cr 1Mo和在加氢反应器内运行 5a的 2 2 5Cr 1Mo试块进行了修正步冷试验 ,评定了材料的回火脆性。结果表明 ,按修正步冷曲线进行修正步冷试验能使已经脆化的材料进一步脆化 ,为加氢反应器材料损伤的研究提供了一条途径。 相似文献
999.
1000.