溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

制备SnO2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响

用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，对所制得ＳｎＯ２薄膜进行了Ｘ－射线，ＳＥＭ分析，并对其发电性质进行测定，总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的ＳｎＯ２薄膜生长速度快，电阻率低。     

二氧化锡颗粒增强银基复合材料的电阻率

根据复合材料的传导理论ｇ－ＭｅＯ系金属基复合材料电阻率的计算模型，并与Ａｇ－Ｓ的实验结果进行了对比。结果分析表明，颗粒增强金属基复合材料的电阻率不仅与基体和颗粒材料的电阻率及颗粒的体积分数有关，还与颗粒粒度及在基体中的分布状态有关。     

稀土元素化学改性二氧化锡的催化活性和气敏性能

本论文用稀土硝酸盐浸渍二氧化锡，再在５００℃下灼烧得到改性二氧化锡材料（ＬｎＯｘ／ＳｎＯ２）经ＸＲＤ分析，稀土元素并未进入二氧化锡晶格。ＬｎＯｘ／ＳｎＯ２对乙醇催化氧化活性，随稀土元素Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ的不同而变化。其变化趋势与该材料在２５０℃下，在清洁空气中的稳定电阻值Ｒ０的变化趋势基本相同，与该材料在２５０℃下，在５００ｐｐｍ的乙醇空气混合气中的稳定电阻值Ｒｇ的变化趋势更为相近。     

二氧化锡电极的电阻率测试及电性能研究

介绍了二氧化锡电极的电阻率测试方法,实测了国产二氧化锡电极在使用前后电阻率的变化。发现使用后二氧化锡电极的电阻率会增大,XRD衍射以及电镜分析表明,使用后的电极其晶粒会随温度升高而增大,晶粒之间的晶界也变大,因而使电阻率增加。     

新型纳米SnO2-CuO复合氧化物负极材料的制备与电化学性能

以SnCl4·5H2O、Cu(NO3)2·3H2O和NH3·H2O为原料,采用化学共沉淀法制备了纳米SnO2-CuO复合粉末.运用热重和差热分析、X射线衍射、扫描电镜和红外光谱等手段对合成粉末进行了表征.将合成粉末作为锂离子电池负极材料,研究了其充放电容量、循环性能和交流阻抗等电化学性能.结果表明,采用化学共沉淀法可以得到平均粒度为87 nm的SnO2-CuO粉末.在SnO2中掺入CuO,并没有改变SnO2的结构,但能够有效抑制SnO2粒子的长大.纳米SnO2-CuO粉末的可逆容量可以达到752 mAh·g-1,经60次循环后,纳米SnO2-CuO粉末的容量保持率分别为93.6%,优于纳米SnO2(92.0%),说明掺杂CuO改善了纳米SnO2的循环性能.     

钛基二氧化锡电极的制备及性能研究

采用热分解法制备了钛基二氧化锡电极，并用XRD，SEM对电极涂层进行了表征，应用快速电极寿命法测试了钛基二氧化锡电极在60℃，1．0mol/L H2SO4溶液中的使用寿命。以降解苯酚为目标，用循环伏安法考察了该电极的电催化氧化性能。结果表明，苯酚转化率达到96．5％，其电催化性能优于传统单质铅电极和Ti／PbO2电极，是1种优良的电催化剂。     

磁镜场对PCVD制备SnO2导电薄膜的影响

本文利用自制的磁常研究了不同磁镜场对等离子体化学气相沉积技术制备的ＳｎＯ２导电薄膜电学性能的影响。     

用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率ＳｎＯ２薄膜，Ｘ－线衍射分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ２薄膜从多晶态转变为非晶态，同时薄膜的电阻增加。Ｘ光电子能谱显示这种ＳｎＯ２薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜，其分子式为ＳｎＯ２ｘ，沉积时，氧气流量增加，该薄膜的电阻率随之增加。掺Ｓｂ的ＳｎＯ２薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。