锡酸四丁醋[Sn（OBu^n）4]水解缩合实验研究

本文通过锡酸四丁酯[Sn(OBu^n)4]Sos-Gel过程中溶胶稳定性，acacH稳定剂作用，催化剂,pH影响及胶体系系流变学测量，提出acacH的螯合中间体Sn(OBu^n2)(acac)2稳定机理，催化作用机理，流变学测量发现溶胶特性粘度[η]很好地符合近似线性模型，单体官能度f=2.0SnO2胶粒为近似线性分子链，分型维度D＝1．80，分形结构介于SAW链和无规高期链之间，为螯合中间体Sn(OBu^n)2(acac)2的存在提供了实验证据。     

SnS2 -SnO2 / 石墨烯复合材料的合成及其电化学储锂性能的研究

目的制备高容量和循环性能稳定的锂离子电池复合电极材料。方法通过L-半胱氨酸(Lcys)辅助水热法合成SnS2-SnO2/石墨烯复合纳米材料,采用XRD,SEM,TEM和HRTEM技术对其进行结构表征,并采用循环伏安、恒流充放电和电化学阻抗技术研究了其电化学贮锂性能。结果随着水热溶液中L-cys的量增加,复合材料中少层数结构SnS2的含量也增加。当Sn4+/L-cys的物质的量之比为1∶4时,制得了SnS2/石墨烯复合纳米材料,而且石墨烯的存在在一定程度上抑制了SnS2沿c轴方向的生长,减少了层状SnS2的层数。结论由于二维层状结构的SnS2具有与石墨烯类似的微观结构和形貌,与石墨烯的复合具有更好的匹配性和相互协同效应,增强了SnS2/石墨烯复合材料的电化学贮锂性能,使其具有较高的可逆储锂容量、良好的循环性能和增强的倍率特性。     

不同形貌结构SnO_2/C复合材料的可控合成

Sn O2理论上的可逆锂贮存容量为790 m Ah/g,这是当前使用的石墨的理论容量372 m Ah/g的两倍以上,然而其循环性能较差。研究发现,Sn O2和碳基体的复合可以有效的改善其循环性能,文章综述了的不同形貌结构的Sn O2/C复合材料的可控合成,以及分析总结了其形貌对其可逆容量和循环性能的影响。     

La2O3掺杂对SnO2基陶瓷致密化与力学性能的影响

以La2O3作掺杂剂制得SnO2基陶瓷.运用XRD和SEM对SnO2基陶瓷的显微结构进行了表征,并测试了SnO2基陶瓷的体积密度、维式硬度、抗弯强度及断裂韧性.结果表明,在一定的掺杂范围内, La2O3的引入能明显改善SnO2基陶瓷的力学性能.同时,La2O3的加入可促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到了良好的作用.     

掺杂La_2O_3对SnO_2电极电学性能的影响

通过共沉淀法制备了掺杂氧化镧的二氧化锡超细粉体,平均粒径为15～20nm,并制得氧化锡电极样品。主要研究了在氧化锡电极中添加不同量的La2O3对电极烧结和电阻率性能的影响。分析电极的电学性能以及微观结构,XRD,SEM等的测试结果表明,适量的La2O3掺杂有利于提高SnO2电极的烧结致密化,同时提高SnO2电极的电学性能。     

仿生微模塑制备超疏水半透明隔热ATO/PU复合薄膜

掺锑二氧化锡(ATO)基透明隔热涂层或贴膜是一种节能新材料,但其表面不耐脏,超疏水化可解决此问题。今在聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板上,采用溶液浇注微模塑法制得了不同ATO含量的ATO/水性聚氨酯(WPU)复合功能膜,其水静态接触角达(151.3±2.1)°,水滴在膜表面极易滚落,同时具有优良的隔热性能和半透明性。扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜表面微结构,发现ATO纳米粒子的加入,使得微米级乳突表面及乳突之间布满纳米级小凸起,这种微米结构和纳米结构相结合的二阶结构,与天然荷叶表面极其相似,是引起隔热薄膜表面超疏水的主要原因。研究结果为规模制备半透明隔热自清洁聚氨酯薄膜提供了理论和实验依据。     

二氧化锡催化型碳糊电极测定苯酚

该文提出了以二氧化锡(SnO_2)作为催化型修饰剂改性碳糊电极,采用线性扫描伏安法直接测定苯酚的新方法,并对扫描速度、富集时间、以及pH等影响因素进行了研究。实验结果表明,在pH=5.0的0.2 mol/L磷酸盐缓冲溶液中,苯酚在+0.85V左右出现一个灵敏的氧化峰,其峰电流的大小接近同等条件下裸碳糊电极体系峰电流的2倍,灵敏度有明显提高。峰电流与苯酚浓度在5.0×10~(-6)～2.5×10~(-4)mol/L之间呈线性关系,该方法的相对标准偏差为5.53%,检出限为1.0×10~(-6)mol/L。并且低于5倍苯酚浓度的苯胺基本不干扰苯酚的测定(RSD=7.02%),将此方法用于模拟染料废水的测定也取得了良好的效果,回收率在99.1%～116.8%之间,相对误差为6%。     

粉末溅射平面薄膜型SnO2／CeO2酒敏传感器

介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型敏感传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制器件的一些性能，并对有关问题进行了讨论。     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。