掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚、紫外－可见光区透射率，反射率等性质，详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电化学与光学性能，实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达10^20cm^-3，电阻率－10^-2Ω．cm， 透光率高达90％，SnO2膜禁带宽度Eg=3.7-3.80eV.     

掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

运用卢瑟福背散射(RBS)和二次离子质谱(SIMS)技术相结合测量了SnO_2透明导电膜的密度和膜厚,对于常压CVD法制备的SnO_2薄膜密度约为6.20g/cm~3,接近相应块状材料的密度。采用~(19)F(p,αγ)~(16)O共振核反应技术测量了用于非晶硅太阳能电池电极的大面积掺氟SnO_2(FTO)中氟的含量和深度分布以及50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的射程分布参数。结果表明,FTO膜中氟元素的含量和深度分布并不是均匀的,而是在0.6×10~(20)—6.O×10~(20)/cm~3间波动;50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的平均投影射程(R_P)值与理论计算结果符合得很好,而平均投影射程标准偏差(ΔR_P)值则比理论值偏大。     

喷镀法制备SnO2膜导电玻璃的研究

用喷镀法将 Sn Cl4溶液喷射到预先加热的玻璃表面 ,制成了薄膜电阻 <70 Ω/□ ,透光率 >88% ,热稳定性 <45 %的 Sn O2 膜导电玻璃 ,研究了膜厚、基底温度、溶液组成对薄膜电阻与透光率的影响。     

离子注入对二氧化锡薄膜的改性作用

对溅射沉积制成的氧化锡薄膜进行了钨离子注入、氧离子注入和退火处理，并用X射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜，研究了注入对薄膜相变的影响。发现在室温下溅射沉积形成的非晶态SnO2薄膜，注入氧离子后导致了非晶态SnO2向晶态SnO2的转变；注入钨离子则导致了SnO在非晶态薄膜中的形成。而在已经注入了钨离子的薄膜中再注入氧离子可以形成Sn3O4。实验表明，注入钨离子可减少由氧和锡组成相的氧、锡比率，而注入氧离子则可增加这种比率。     

新型无铬碱性耐火材料

过去十年里，为保护环境和人身健康而减少含铬氧化物的使用，一直是碱性耐火材料研究中的一个重要目标。然而，在某些领域中，镁铬砖仍然是无法被替代的。因此，目前正在努力研究新的材料，其中生成尖晶石的主要物质是氧化锡（Sn02）。以前对基于MgO-Al2O3-SnO2体系材料的相组成研究、影响实际应用的重要因素的分析和抗侵蚀试验的结果都进行过阐述。本文对尖晶石-锡酸盐和氧化镁-锡酸盐材料的特性作了进一步研究。从目前的研究结果看，该种材料还是比较有前景的，尤其是在铜工业低温冶炼方面中的应用。     

纳米SnO2和SnO2／SiO2材料的正电子湮没研究

采用溶胶一凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段进行了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程，结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对短寿命τ１和中等寿命τ２，材料中两类缺陷的数量比与粒径有关，纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高为分两个阶段，低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢，高于此温度时，则生长迅速     

X衍射法分析CVD制备SnO2多晶膜的构成及其对气敏特性…

通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。     

Sn及其氧化物超微粉的制备与测试

本文采用气体蒸发法制备出粒度不到５ｎｍ的Ｓｎ及其氧化物的超微粉。利用热重，差热分析和Ｘ射线衍射谱等测试方法研究了热处理制度对其粒度，成份和气敏特性的影响，发现了ＳｎＯ２正交相的存在。