高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。     

中间馏分和深度加氢产品中的硫化物特征

采用配有微波感应等离子发射鉴定器的气相色谱同步模拟蒸馏技术和其他近代物理分析方法，对多种含硫原油中间馏分及其加氢脱硫产物进行了硫化物分布和结构特征分析。并讨论了这些馏分中各种硫化物的加氢反应活性，研究结果叶含硫原油可加工性评价，含硫原油各种中间馏分的加氢脱硫过程工艺条件选择和反应器设计具有实际指导意义。     

国外MCM及其主要制造技术的发展现状

MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。     

荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。     

系统级可编程芯片(SOPC)设计思想与开发策略

针对SOPC全新的设计流程，提出了基于IP的SOPC设计集成平台概念及设计思想与开发策略，并介绍了基于FPGA／CPLD的SOPC的实现方案。     

NaBH4溶液的配制方法和保存时间对HVG—AAS测砷的影响

考察了在氢化物发生与原子吸收联用测量砷的过程中，NaBH4溶液的配制方法与保存时间对测量的影响。运用统计检验方法比较了各种不同的结果，对硼氢化钠的最佳配制方法与放置时间进行了探讨。     

DS18B20芯片与单片微控制器的接口设计与应用

1 概述 DS18820是DALLAS半导体器件公司生产的可编程一线数字温度传感器芯片，它仅用一线就可完成与单片微控制器的硬件接口，具有使用简单方便、分辩率高的优点。 2 DS18820应用介绍 DS18820芯片温度测量范围是-55℃～+125℃，其供电电源为3V～5．5V。使用中可以对其进行供电，也可利用信号线上产生的寄生电源自行供电，控制器可以通过命令来查询DS18820的供电状态。DALLAS公司生产的每一个……