区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

烧结机箅条用高铬硅合金铸钢的试验研究

本文结合国内资源和生产使用要求，研制了一种烧结机箅条用合金铸钢，通过Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｒｅ等多元合金化的途径，使其在箅条表面形成良好的保护性氧化膜，成为氧及基体各元素离子互扩散的障碍墙垒，增强氧化膜与基体的附着力。     

钒钛硅氮复合合金的实验研究

在硅碳棒电阻炉内，于1100－1200℃温度下，对钒钛硅铁复合合金进行渗氮试验，合金含氮量达13．7％     

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风，采用了硅微机械技术，且实现了麦克风电容两电极之间的自对准，大大提高了麦克风的生产效率，降低了成本．纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用，而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加，这些都显著地提高了麦克风的灵敏度，是该项新结构的关键．本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系，及结构的优化进行了研究．通过对制作出的不同结构参数ｑ值的麦克风的测试，得到了与初步理论分析基本相符的实验结果．实验证明，纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风     

高硅碳比铸铁加微量锑铸造空气锤缸体铸件

一、问题的提出 C41—750kg空气锤缸体铸件,是我厂生产的各类铸件中最复杂的一种,该件外形尺寸为2300×1500×870毫米,材质为HT200,毛坯重6.5吨,工作缸与压缩缸要求硬度值为HB170～241(测试点分别在壁厚为45毫米的两缸双点划线内,如图示)。