基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用，重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式，可以简化系统电路设计，降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点，并给出了相关电路的设计方案。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

Luminescent Properties of Nanometer Si with Embedded Structure

Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after C^ implantation,annealing in hydrogen ambience and chemical etching sequentially. When annealed in nitrogen ambience and etched accordingly, there is a much narrower peak at about 430nm. During C^ implantation,C=O compounds are introduced into and embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing,at last, nanometer silicon with embedded structure is formed,which contributes to the blue emission.     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.     

美科学家在硅纳米晶体中发现MEG效应

据报道，美国的科学家们在硅纳米晶体中发现了一种叫做多重激子产生（MEG）的重要效应。MEG效应会导致每吸收一个光子形成多于一个的电子。有关研究成果发表在近期的《Nano Letters Journal》在线版上。[第一段]     

纪州电子（上海）有限公司独创高清图像，彩色液晶屏大字符喷码机强势登场

日本纪州技研工业独资子公司-KGK纪州电子（上海）有限公司最近强势推出一款全新标准、全新品质大字符喷码机：KGK-HQM大字机，该机不仅能在各种纸箱、纸．木材等多孔材料上喷印清晰鲜明，图案精美的商标与标识．     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

硅晶体管中加氟可提高中子速度

英国南安普敦大学研究人员发现，在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。     

NREL利用硅纳米结晶确认MEG现象

美国国家可再生能源实验室（NREL）在美国Innovalight公司的协助下，证实“通过硅纳米结晶（量子点，Quantuin Dot）可以高效生成多重激子（Multiple Exciton Generation，MEG）”。MEG可将元，2006年产值应在1．12亿美元，预计到2010年将达到5亿美元。同时，我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小，2006年的产值大约不到500万元人民币!     

美国SiGen开发出新型光电绝缘硅技术

美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我…